公开(公告)号：CN104339102A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410331127.1

申请日：2014-07-11

Applicant: 富士电机株式会社 ,  富士电机机器制御株式会社

Inventor： 雁部竜也 ,  渡边裕彦

IPC: B23K35/368

CPC classification number: B23K35/3613 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3616 ,  Y10T428/2938

Abstract: 提供保存稳定性、生产性优异的含有热固性树脂的松脂芯软焊料用焊剂、及内置该焊剂的松脂芯软焊料。该松脂芯软焊料用焊剂包含含有热固性树脂的固体状的第1焊剂(11)和含有具有氧化还原作用的固化剂的固体状的第2焊剂(12)，所述第1焊剂(11)和所述第2焊剂(12)以非接触状态存在。以及，松脂芯软焊料(100a)，它是含有该松脂芯软焊料用焊剂和熔点为130～250℃的无铅焊料合金的松脂芯软焊料，由第1松脂芯软焊料(21)和第2松脂芯软焊料(22)构成，该第1松脂芯软焊料(21)由所述无铅焊料合金(2)内置所述第1焊剂(11)而成；该第2松脂芯软焊料(22)由所述无铅焊料合金(2)内置所述第2焊剂(12)而成。

公开(公告)号：CN112338387A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011222092.X

申请日：2016-08-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 渡边裕彦 ,  斋藤俊介 ,  西村芳孝 ,  百濑文彦

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  C22C13/02 ,  H01L23/488 ,  H01L23/053

Abstract: 本发明涉及半导体装置用软钎焊材料。本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。

公开(公告)号：CN105636740A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201580001558.4

申请日：2015-01-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 荘司郁夫 ,  雁部竜也 ,  渡边裕彦

IPC: B23K35/363 ,  H01L21/60 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

CPC classification number: B23K35/362 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/36 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/3618 ,  C22C13/00 ,  H01L2224/11 ,  H05K3/3489 ,  H05K2203/041

Abstract: 本发明提供在钎料球接合时，以覆盖钎料球的方式热固化而进行加强的钎料用焊剂组合物。使用了钎焊用焊剂，该钎焊用焊剂包含环氧树脂、至少含有0.1～40质量％分子量在180以下的二羧酸的有机羧酸、以及触变剂，以所述有机羧酸的羧基相对于1.0当量所述环氧树脂的环氧基为0.8～2.0当量的方式添加所述环氧树脂及所述有机羧酸，相对于焊剂总量，所述环氧树脂、所述有机羧酸和所述触变剂的总含量为70质量％以上。

公开(公告)号：CN104517860A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410394901.3

申请日：2014-08-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 斋藤俊介 ,  渡边裕彦 ,  小野真裕 ,  大西一永 ,  渡边孝志 ,  佐野真二

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00

CPC classification number: H01L21/52 ,  B23K1/00

Abstract: 本发明提供一种接合组装装置，通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合，从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件：金属线；传送台，对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承，并能在水平方向和垂直方向上移动；冷却板，隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却；热板)，隔着所述传送台对所述层叠体进行加热；活性种气体导入管；惰性气体导入管；以及排气口，该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。

公开(公告)号：CN109641323A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201880003396.1

申请日：2018-03-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 渡边裕彦 ,  斋藤俊介 ,  小平悦宏

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H05K3/34

Abstract: 提供热循环疲劳特性和润湿性优异的软钎焊材料。含有5.0质量％以上且8.0质量％以下的Sb和3.0质量％以上且5.0质量％以下的Ag、余量由Sn和不可避免的杂质组成的软钎焊材料、以及在半导体元件与基板电极之间或在半导体元件与引线框之间具备软钎焊材料熔融而得到的接合层的半导体装置。

公开(公告)号：CN105679686B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201510762725.9

申请日：2015-11-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 斋藤俊介 ,  渡边裕彦 ,  大西一永

IPC: H01L21/60 ,  B23K1/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。

公开(公告)号：CN106132612A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580017804.5

申请日：2015-08-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 渡边裕彦 ,  齋藤俊介 ,  小野真裕 ,  渡边孝志 ,  佐野真二 ,  大西一永

IPC: B23K1/19 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40 ,  B23K101/42

Abstract: 对含Ag构件进行软钎焊的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法中，防止孔隙产生且提高软钎料润湿性。本发明的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法为一种含Ag无铅软钎料的软钎焊方法，其包括如下工序：第1工序，使具有含有Ag且余量为Sn和不可避免的杂质的组成的Sn‑Ag系无铅软钎料与含Ag构件接触，在所述无铅软钎料的组成中，质量M(g)的软钎焊前的Sn‑Ag系无铅软钎料中所含的Ag浓度C(质量％)与前述含Ag构件中所含的Ag的溶出量B(g)的关系为：1.0质量％≤(M×C+B)×100/(M+B)≤4.6质量％；第2工序，对前述无铅软钎料进行加热使其熔融；和，第3工序，对前述无铅软钎料进行冷却。

公开(公告)号：CN105679686A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510762725.9

申请日：2015-11-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 斋藤俊介 ,  渡边裕彦 ,  大西一永

IPC: H01L21/60 ,  B23K1/00

CPC classification number: H01L24/32 ,  B23K1/0008 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8319

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。

公开(公告)号：CN104703749A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201480002628.3

申请日：2014-01-21

Applicant: 日本半田株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 浅黄刚 ,  三谷进 ,  渡边裕彦 ,  下田将义

IPC: B23K35/26 ,  B23K1/00 ,  B23K35/363 ,  C22C12/00 ,  H01L21/52 ,  H05K3/34 ,  B23K35/14 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K35/264 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K2101/42 ,  C22C12/00 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/3457 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/3484 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了用于芯片焊接的无铅焊料，其具有高的耐热温度和改善的润湿性。用于芯片焊接的钎焊合金包含0.05质量％-3.0质量％的锑和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分，并且用于芯片焊接的钎焊合金包含0.01质量％-2.0质量％的锗和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分。

公开(公告)号：CN112338387B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202011222092.X

申请日：2016-08-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 渡边裕彦 ,  斋藤俊介 ,  西村芳孝 ,  百濑文彦

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  C22C13/02 ,  H01L23/488 ,  H01L23/053

Abstract: 本发明涉及半导体装置用软钎焊材料。本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。