制作电路化衬底的方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100570841C

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200610170522.1

    申请日:2006-12-21

    CPC classification number: H05K3/4641 H05K3/429 H05K2203/068

    Abstract: 本发明揭示一种制作一电路化衬底的方法及一种利用所述电路化衬底的电性组合件,其中所述衬底由至少两个子复合物构成,其中这些子复合物中的至少一个的介电材料在结合(例如层压)至另一子复合物期间受到充分加热,以使所述介电材料流入并基本上填满所述结合结构的一导电层中的开孔。在所述结合结构内形成导电通孔,以耦接所述结构的各导电层中选定的导电层。可通过将一个或多个电性组件(例如半导体芯片或芯片载体)定位于最终结构上并将这些电性组件电耦接至所述结构的外部电路来形成一电性组合件。

    制作电路化衬底的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1996562A

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN200610170522.1

    申请日:2006-12-21

    CPC classification number: H05K3/4641 H05K3/429 H05K2203/068

    Abstract: 本发明揭示一种制作一电路化衬底的方法及一种利用所述电路化衬底的电性组合件,其中所述衬底由至少两个子复合物构成,其中这些子复合物中的至少一个的介电材料在结合(例如层压)至另一子复合物期间受到充分加热,以使所述介电材料流入并基本上填满所述结合结构的一导电层中的开孔。在所述结合结构内形成导电通孔,以耦接所述结构的各导电层中选定的导电层。可通过将一个或多个电性组件(例如半导体芯片或芯片载体)定位于最终结构上并将这些电性组件电耦接至所述结构的外部电路来形成一电性组合件。

Patent Agency Ranking