公开(公告)号：CN102714152A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006482.6

申请日：2011-01-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浦田章紘 ,  荒木正浩 ,  内海孝昭 ,  盐田昌弘

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明提供一种功能元件及其制造方法。该功能元件是在基板上形成层积膜后、将该基板和层积膜分割为所希望的形状而得到的，具有：六方晶系的基板、形成于所述基板的C面上的层积膜、通过将基板分割为四边形而露出的多个分割面，将基板分割为四边形时的分割线的至少一边从基板的[0001]方向观察，与基板的[1-100]、[-1010]、[01-10]的等效方向中的任一方向垂直，并且由分割线所形成的分割面的至少一部分与相对的其他分割面方向倾斜。

公开(公告)号：CN1697273A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510070180.1

申请日：2005-05-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  山田英司 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/30 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。从而防止了裂纹的产生。而且，通过抑制由形成氮化物半导体薄膜的原材料原子和分子从隆脊表面上的顶面生长部分迁移或移动至刻槽区域而导致的氮化物半导体薄膜的形成的方法，形成了具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层，从而消除了电流泄漏通道和损坏。

公开(公告)号：CN102714152B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180006482.6

申请日：2011-01-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浦田章紘 ,  荒木正浩 ,  内海孝昭 ,  盐田昌弘

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32 ,  H01S5/02

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明提供一种功能元件及其制造方法。该功能元件是在基板上形成层积膜后、将该基板和层积膜分割为所希望的形状而得到的，具有：六方晶系的基板、形成于所述基板的C面上的层积膜、通过将基板分割为四边形而露出的多个分割面，将基板分割为四边形时的分割线的至少一边从基板的[0001]方向观察，与基板的[1-100]、[-1010]、[01-10]的等效方向中的任一方向垂直，并且由分割线所形成的分割面的至少一部分与相对的其他分割面方向倾斜。

公开(公告)号：CN102280817A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110190349.2

申请日：2005-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN101179178B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200710197022.1

申请日：2005-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN1770578A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510119342.6

申请日：2005-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN1758419A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510119979.5

申请日：2005-09-12

Applicant: 夏普株式会社 ,  大阳日酸株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  山田英司 ,  汤浅贵之 ,  津田有三 ,  阿久津仲男

IPC: H01L21/205 ,  H01S5/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  B82Y20/00 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过在衬底上扩散包含III族元素的源气体和V族元素的源气体来结晶生长氮化物半导体。与衬底平行和从上游到下游来扩散气体。装置具有容纳在装置中的衬底以及用于允许气体流到流动通道中的流动通道。装置也有在流动通道的内壁上提供的多个突起。在气流的上游部分并且以水平方向提供一种用于使III族元素的源气体和V族元素的源气体分别引入到流动通道中的隔离物。在隔离物的上表面和下表面上形成突起。利用该结构，在供应源气体之前，使III族元素的源气体和V族元素的源气体更均匀地混合。

公开(公告)号：CN102024887B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201010282757.6

申请日：2010-09-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  内海孝昭 ,  阪田昌彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/35 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法，在利用以连续DC方式施加电压而进行的DC磁控溅射法来层积含有铝的氮化物中间层时，采用以下(1)～(3)中的至少一个条件。(1)把靶电极表面的中心与基板生长面之间的最短距离设定成100mm以上250mm以下。(2)使用氮气作为向DC磁控溅射装置供给的气体。(3)把靶电极相对基板的生长面倾斜配置。

公开(公告)号：CN103403886B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201180068639.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  吉田慎也 ,  泷口治久 ,  小河淳 ,  木下多贺雄 ,  村田彻 ,  船木毅 ,  布袋田畅行

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/812 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

公开(公告)号：CN102884644B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201180022108.5

申请日：2011-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  内海孝昭 ,  阪田昌彦

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02631 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件（100）的制造方法、氮化物半导体发光元件及发光装置。该制造方法包括：在基板（1）上形成至少含有铝、氮、氧的AlNO缓冲层（2）的工序、以及在AlNO缓冲层（2）上形成氮化物半导体层（3，4，5，6，7，8）的工序，在形成AlNO缓冲层（2）的工序中，在连续导入氮气和氧气并排放气体的环境气氛中通过将铝作为靶材（26）的反应溅射法而形成AlNO缓冲层（2），环境气氛为所述氧气流量相对所述氮气流量与所述氧气流量的总和之比为0.5%以下的环境气氛。