公开(公告)号：CN103403886A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180068639.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  吉田慎也 ,  泷口治久 ,  小河淳 ,  木下多贺雄 ,  村田彻 ,  船木毅 ,  布袋田畅行

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/812 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

公开(公告)号：CN103403886B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201180068639.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  吉田慎也 ,  泷口治久 ,  小河淳 ,  木下多贺雄 ,  村田彻 ,  船木毅 ,  布袋田畅行

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/812 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

公开(公告)号：CN103050589A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210520666.0

申请日：2012-10-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉田慎也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明公开了一种发光元件，其包括作为衬底的蓝宝石衬底；设置在衬底表面上的发光层，处于在厚度方向上夹在作为两个导电类型彼此不同的半导体层的n型半导体层和p型半导体层之间的状态；以及透明电极层，设置为与p型半导体层交叠，p型半导体层为两个半导体层之中位于远离衬底的一个；以及由透明材料制成的平坦层，该透明材料的折射率高于透明电极层，且该平坦层设置为覆盖透明电极层的上表面的至少一部分；以及设置在平坦层上侧上的不平坦层。