公开(公告)号：CN108352049A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680066306.4

申请日：2016-09-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤晋 ,  土田和弘 ,  村田彻 ,  山本宏明 ,  有吉章 ,  宫嵜启介 ,  曾田义树

IPC: G06T1/00 ,  A61B5/1171 ,  H01S5/022

CPC classification number: A61B5/1171 ,  G06T1/00 ,  H01S5/022

Abstract: 提供一种可以抑制装置大小及成本并提高摄像精度的摄像装置。摄像装置(1)具有向摄像对象(5)照射红外线光的半导体激光的光源(2)、在摄像对象(5)的表面遮蔽反射的光并在摄像对象(5)的内部使反射的光透射的偏振光滤光器(3)、接收透射偏振光滤光器(3)的光并摄像摄像对象(5)的摄像元件(4)。

公开(公告)号：CN108475409B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201680076283.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤晋 ,  村田彻 ,  土田和弘

IPC: G06T1/00 ,  A61B5/1171

Abstract: 使用简单的光学系统提高摄像精度。摄像装置(1)包括：偏振滤光片(3)，其从光源(2)照射的红外线的偏振光中，阻挡未透射摄像对象(5)的非透射光以及未散射而透射摄像对象(5)的内部的透射光，并使在摄像对象(5)的内部散射并透射的透射光透射；摄像元件(4)，其接收透射偏振滤光片(3)的光以拍摄摄像对象(5)。

公开(公告)号：CN108475409A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680076283.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤晋 ,  村田彻 ,  土田和弘

IPC: G06T1/00 ,  A61B5/1171

CPC classification number: A61B5/1171 ,  G06T1/00

Abstract: 使用简单的光学系统提高摄像精度。摄像装置(1)包括：偏振滤光片(3)，其从光源(2)照射的红外线的偏振光中，阻挡未透射摄像对象(5)的非透射光以及未散射而透射摄像对象(5)的内部的透射光，并使在摄像对象(5)的内部散射并透射的透射光透射；摄像元件(4)，其接收透射偏振滤光片(3)的光以拍摄摄像对象(5)。

公开(公告)号：CN103403886A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180068639.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  吉田慎也 ,  泷口治久 ,  小河淳 ,  木下多贺雄 ,  村田彻 ,  船木毅 ,  布袋田畅行

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/812 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

公开(公告)号：CN103050594A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210385352.4

申请日：2012-10-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村田彻

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构的制造方法。在形成第三氮化物半导体基础层的工序中，第三氮化物半导体基础层生长时单位时间所提供的V族原料气的摩尔量与单位时间所提供的III族原料气的摩尔量之比即V/III比为700以下，第三氮化物半导体基础层生长时的压力为26.6kPa以上，第三氮化物半导体基础层的生长速度为2.5μm/h以上。

公开(公告)号：CN103403886B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201180068639.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  吉田慎也 ,  泷口治久 ,  小河淳 ,  木下多贺雄 ,  村田彻 ,  船木毅 ,  布袋田畅行

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/812 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

公开(公告)号：CN104025260B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201380003707.1

申请日：2013-07-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浦田章纮 ,  村田彻

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L31/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B25/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体元件结构体(10)，具有：在表面具有多个凸部(1a)且表面被氮化物半导体中间层(2)覆盖的基板(1)，在基板(1)上的凸部(1a)与凸部(1a)之间以使包括凸部(1a)中心的至少一部分表面露出的方式依次设置的第一氮化物半导体基础层(3)、覆盖第一氮化物半导体基础层(3)整体的第二氮化物半导体基础层(4)、覆盖第二氮化物半导体基础层(4)整体的第三氮化物半导体基础层(5)，覆盖凸部(1a)所露出的表面及第三氮化物半导体基础层(5)整体的第四氮化物半导体基础层(6)，第一氮化物半导体基础层(3)具有第一小斜面，第二氮化物半导体基础层(4)具有第二小斜面和第二基板平行面，第三氮化物半导体基础层(5)具有第三小斜面和第三基板平行面。

公开(公告)号：CN103050594B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210385352.4

申请日：2012-10-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村田彻

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构的制造方法。在形成第三氮化物半导体基础层的工序中，第三氮化物半导体基础层生长时单位时间所提供的V族原料气的摩尔量与单位时间所提供的III族原料气的摩尔量之比即V/III比为700以下，第三氮化物半导体基础层生长时的压力为26.6kPa以上，第三氮化物半导体基础层的生长速度为2.5μm/h以上。

公开(公告)号：CN104025260A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201380003707.1

申请日：2013-07-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浦田章纮 ,  村田彻

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L31/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B25/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体元件结构体(10)，具有：在表面具有多个凸部(1a)且表面被氮化物半导体中间层(2)覆盖的基板(1)，在基板(1)上的凸部(1a)与凸部(1a)之间以使包括凸部(1a)中心的至少一部分表面露出的方式依次设置的第一氮化物半导体基础层(3)、覆盖第一氮化物半导体基础层(3)整体的第二氮化物半导体基础层(4)、覆盖第二氮化物半导体基础层(4)整体的第三氮化物半导体基础层(5)，覆盖凸部(1a)所露出的表面及第三氮化物半导体基础层(5)整体的第四氮化物半导体基础层(6)，第一氮化物半导体基础层(3)具有第一小斜面，第二氮化物半导体基础层(4)具有第二小斜面和第二基板平行面，第三氮化物半导体基础层(5)具有第三小斜面和第三基板平行面。