公开(公告)号：CN102737979A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210079285.3

申请日：2012-03-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浦田章纮

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种切片装置及切片方法。该切片装置将通过分割预定线形成有多个芯片区域的基板沿所述分割预定线进行分割，包括：第一抵接部，其与所述基板的一面抵接；第二抵接部，其与第一抵接部相对，并与所述基板的另一面抵接；刀片，其向由第一抵接部和第二抵接部夹持的所述基板的所述分割预定线上施加弯曲应力而进行切断，通过所述刀片对由第一抵接部和第二抵接部夹持且一端已经分割的所述芯片区域的另一端进行切断。

公开(公告)号：CN104025260B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201380003707.1

申请日：2013-07-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浦田章纮 ,  村田彻

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L31/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B25/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体元件结构体(10)，具有：在表面具有多个凸部(1a)且表面被氮化物半导体中间层(2)覆盖的基板(1)，在基板(1)上的凸部(1a)与凸部(1a)之间以使包括凸部(1a)中心的至少一部分表面露出的方式依次设置的第一氮化物半导体基础层(3)、覆盖第一氮化物半导体基础层(3)整体的第二氮化物半导体基础层(4)、覆盖第二氮化物半导体基础层(4)整体的第三氮化物半导体基础层(5)，覆盖凸部(1a)所露出的表面及第三氮化物半导体基础层(5)整体的第四氮化物半导体基础层(6)，第一氮化物半导体基础层(3)具有第一小斜面，第二氮化物半导体基础层(4)具有第二小斜面和第二基板平行面，第三氮化物半导体基础层(5)具有第三小斜面和第三基板平行面。

公开(公告)号：CN102737979B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210079285.3

申请日：2012-03-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浦田章纮

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种切片装置及切片方法。该切片装置将通过分割预定线形成有多个芯片区域的基板沿所述分割预定线进行分割，包括：第一抵接部，其与所述基板的一面抵接；第二抵接部，其与第一抵接部相对，并与所述基板的另一面抵接；刀片，其向由第一抵接部和第二抵接部夹持的所述基板的所述分割预定线上施加弯曲应力而进行切断，通过所述刀片对由第一抵接部和第二抵接部夹持且一端已经分割的所述芯片区域的另一端进行切断。

公开(公告)号：CN104025260A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201380003707.1

申请日：2013-07-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浦田章纮 ,  村田彻

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L31/10 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B25/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体元件结构体(10)，具有：在表面具有多个凸部(1a)且表面被氮化物半导体中间层(2)覆盖的基板(1)，在基板(1)上的凸部(1a)与凸部(1a)之间以使包括凸部(1a)中心的至少一部分表面露出的方式依次设置的第一氮化物半导体基础层(3)、覆盖第一氮化物半导体基础层(3)整体的第二氮化物半导体基础层(4)、覆盖第二氮化物半导体基础层(4)整体的第三氮化物半导体基础层(5)，覆盖凸部(1a)所露出的表面及第三氮化物半导体基础层(5)整体的第四氮化物半导体基础层(6)，第一氮化物半导体基础层(3)具有第一小斜面，第二氮化物半导体基础层(4)具有第二小斜面和第二基板平行面，第三氮化物半导体基础层(5)具有第三小斜面和第三基板平行面。

公开(公告)号：CN101901860A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010194102.3

申请日：2010-05-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浦田章纮

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。该元件包括：包括位错束集中区的n型氮化物半导体衬底；和在所述n型氮化物半导体衬底上的氮化物半导体堆叠体，具有按以下顺序的n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层，所述氮化物半导体发光元件具有：在对应于所述位错束集中区的所述氮化物半导体堆叠体的区中的电介质区，提供与部分所述p型氮化物半导体层和部分所述电介质区接触的p型电极，和所述n型氮化物半导体衬底的其上提供所述氮化物半导体堆叠体的侧相对的侧上提供的n型电极。