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公开(公告)号：CN103403886B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201180068639.8
申请日：2011-12-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/32
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/812 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。
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公开(公告)号：CN104040737B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201280059896.X
申请日：2012-12-05
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人山口大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其由n型氮化物半导体层(13)、触发层(14)、V形坑扩大层(15)、发光层(16)、p型氮化物半导体层(17)按照此顺序依次设置而构成。发光层(16)中形成有V形坑(31)。触发层(14)由晶格常数不同于构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料的氮化物半导体材料构成。V形坑扩大层(15)由晶格常数与构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料实质上相同的氮化物半导体材料构成，其厚度在5nm以上、5000nm以下。
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公开(公告)号：CN103403886A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180068639.8
申请日：2011-12-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/32
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/812 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1771462A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200380110320.2
申请日：2003-10-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G03B21/60
Abstract: 反射型屏幕(1)适合于形成即使在明亮室内仍具有高对比度且明亮的投影图像。该反射型屏幕(1)包括被放置在该屏幕的投影光线入射侧的相对侧的反射层(30)、被放置在该反射层(30)的光线入射侧并改善投影光线的水平视角的水平视角增加层(20)，以及被放置在水平视角增加层(20)的光线入射侧的扩散层(40)。水平视角增加层(20)在该屏幕的后侧出现透镜、棱镜或波浪形处有一排凸脊。因为这些脊的纵向与反射型屏幕(1)的垂直方向一并排列，故屏幕(1)在水平方向上的视角特性得到改善，且屏幕在垂直方向的扩散特性受到抑制用于防止来自上面照明光的外部干扰光线向观众反射。因此，可以提供即使在明亮的室内具有高对比度且能够应用大尺寸的屏幕并不会造成CCR(在中心/外围区域的亮度比率)恶化的反射型屏幕。
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公开(公告)号：CN100485989C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610149250.7
申请日：2006-11-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075 , H01L21/50 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光元件，具有：至少一个LED芯片，被安装在基板的安装面上；金属反射板，直立地设置在上述LED芯片的光出射方向上，被设置在上述安装面上并完全包围上述LED芯片的周围，反射上述LED芯片的出射光并将其导向被设置在上述光出射方向上的光出射面；以及第1、第2金属部，形成在上述安装面上被上述金属反射板包围的区域内，作为对上述LED芯片供给驱动电流的电极端子而分别与上述LED芯片电连接；在上述区域内形成有用于使上述第2金属部与上述区域内的其他部位电气绝缘的绝缘部，该绝缘部包围上述第2金属部；在上述区域内的上述绝缘部的外侧形成有作为安装面金属反射膜的第1金属膜，该第1金属膜与上述金属反射板接触。
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公开(公告)号：CN1971957A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610149250.7
申请日：2006-11-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/00 , H01L25/075 , H01L21/50 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光元件，具有：至少一个LED芯片，被安装在基板的安装面上；金属反射板，直立地设置在上述LED芯片的光出射方向上，被设置在上述安装面上并完全包围上述LED芯片的周围，反射上述LED芯片的出射光并将其导向被设置在上述光出射方向上的光出射面；以及第1、第2金属部，形成在上述安装面上被上述金属反射板包围的区域内，作为对上述LED芯片供给驱动电流的电极端子而分别与上述LED芯片电连接；在上述区域内形成有用于使上述第2金属部与上述区域内的其他部位电气绝缘的绝缘部，该绝缘部包围上述第2金属部；在上述区域内的上述绝缘部的外侧形成有作为安装面金属反射膜的第1金属膜，该第1金属膜与上述金属反射板接触。
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公开(公告)号：CN100492163C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200380110320.2
申请日：2003-10-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G03B21/60
Abstract: 反射型屏幕(1)适合于形成即使在明亮室内仍具有高对比度且明亮的投影图像。该反射型屏幕(1)包括被放置在该屏幕的投影光线入射侧的相对侧的反射层(30)、被放置在该反射层(30)的光线入射侧并改善投影光线的水平视角的水平视角增加层(20)，以及被放置在水平视角增加层(20)的光线入射侧的扩散层(40)。水平视角增加层(20)在该屏幕的后侧出现透镜、棱镜或波浪形处有一排凸脊。因为这些脊的纵向与反射型屏幕(1)的垂直方向一并排列，故屏幕(1)在水平方向上的视角特性得到改善，且屏幕在垂直方向的扩散特性受到抑制用于防止来自上面照明光的外部干扰光线向观众反射。因此，可以提供即使在明亮的室内具有高对比度且能够应用大尺寸的屏幕并不会造成CCR(在中心/外围区域的亮度比率)恶化的反射型屏幕。
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公开(公告)号：CN104040737A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280059896.X
申请日：2012-12-05
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人山口大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其由n型氮化物半导体层(13)、触发层(14)、V形坑扩大层(15)、发光层(16)、p型氮化物半导体层(17)按照此顺序依次设置而构成。发光层(16)中形成有V形坑(31)。触发层(14)由晶格常数不同于构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料的氮化物半导体材料构成。V形坑扩大层(15)由晶格常数与构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料实质上相同的氮化物半导体材料构成，其厚度在5nm以上、5000nm以下。
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