公开(公告)号：CN103403886A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180068639.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  吉田慎也 ,  泷口治久 ,  小河淳 ,  木下多贺雄 ,  村田彻 ,  船木毅 ,  布袋田畅行

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/812 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

公开(公告)号：CN101133480A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200680006603.6

申请日：2006-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木下多贺雄

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L2221/1089

Abstract: 提供具有高电迁移耐性铜布线的半导体器件。本发明的半导体器件是具有布线层的半导体器件，该布线层是通过在基板上形成的绝缘膜上形成槽或孔，在得到的基板上形成阻挡层，在阻挡层上形成铜晶种层，利用该铜晶种层，通过电镀法形成铜镀敷层，再除去表面的铜镀敷层和铜晶种层形成的，铜晶种层含有具备结晶粒径不同的小晶粒层和大晶粒层的多层，小晶粒层与阻挡层接触。

公开(公告)号：CN100530565C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200680006603.6

申请日：2006-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木下多贺雄

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L2221/1089

Abstract: 提供具有高电迁移耐性铜布线的半导体器件。本发明的半导体器件是具有布线层的半导体器件，该布线层是通过在基板上形成的绝缘膜上形成槽或孔，在得到的基板上形成阻挡层，在阻挡层上形成铜晶种层，利用该铜晶种层，通过电镀法形成铜镀敷层，再除去表面的铜镀敷层和铜晶种层形成的，铜晶种层含有具备结晶粒径不同的小晶粒层和大晶粒层的多层，小晶粒层与阻挡层接触。

公开(公告)号：CN106415794B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201580025673.5

申请日：2015-04-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森下敏 ,  安井忠 ,  木下多贺雄 ,  佐藤知稔

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

Abstract: 半导体晶片(1)包括：衬底(23)；层叠在衬底(23)上的GaN类半导体膜(24)；设置在GaN类半导体膜(24)上的多个元件区域；层叠在GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25)；和以划分上述元件区域的方式不贯通上述电介质膜地设置成格子状的具有切割槽(27)的切割区域(21)。而且，在切割槽(27)的底面(27a)，切割槽(27)的元件区域侧的端部高于或低于切割槽(27)的宽度方向(W)的中央部。

公开(公告)号：CN102751412A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210120722.1

申请日：2012-04-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边浩崇 ,  小河淳 ,  冈崎舞 ,  木下多贺雄

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件形成用晶片及其制造方法、氮化物半导体元件及其制造方法。氮化物半导体元件形成用晶片通过在基板上依次层叠基底层、第一导电型氮化物半导体层、有源层及第二导电型氮化物半导体层而构成。基板由与氮化物半导体元件材料不同的材料构成。而且，基底层和第一导电型氮化物半导体层中至少一方的膜厚在基板的中央侧和基板的周边侧不同。氮化物半导体元件使用氮化物半导体元件形成用晶片制作。

公开(公告)号：CN107078064A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056003.X

申请日：2015-08-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷本佳美 ,  藤田耕一郎 ,  井上雄史 ,  木下多贺雄

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/318 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(1)；氮化物半导体层叠结构(5)，其形成在上述衬底(1)上，并且包括第一氮化物半导体层(3)和组成与上述第一氮化物半导体层(3)不同的第二氮化物半导体层(4)，在上述第一氮化物半导体层(3)与上述第二氮化物半导体层(4)的异质界面产生二维电子气；和绝缘膜(9)，其覆盖上述氮化物半导体层叠结构(5)的表面中的至少一部分，且由Si‑H键量为6.0×1021cm‑3以下的氮化硅构成。

公开(公告)号：CN103403886B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201180068639.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  吉田慎也 ,  泷口治久 ,  小河淳 ,  木下多贺雄 ,  村田彻 ,  船木毅 ,  布袋田畅行

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/812 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

公开(公告)号：CN106415794A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580025673.5

申请日：2015-04-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森下敏 ,  安井忠 ,  木下多贺雄 ,  佐藤知稔

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/78 ,  B24B27/06 ,  B24B37/105 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/14 ,  H01L23/544 ,  H01L29/2003 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体晶片(1)包括：衬底(23)；层叠在衬底体膜(24)上的多个元件区域；层叠在GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25)；和以划分上述元件区域的方式不贯通上述电介质膜地设置成格子状的具有切割槽(27)的切割区域(21)。而且，在切割槽(27)的底面(27a)，切割槽(27)的元件区域侧的端部高于或低于切割槽(27)的宽度方向(W)的中央部。(23)上的GaN类半导体膜(24)；设置在GaN类半导