-
公开(公告)号：CN105637620B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201480056167.8
申请日：2014-09-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 氮化物半导体包括：形成于衬底(1)上的初始生长层(2)；形成于上述初始生长层(2)上的缓冲层(3)；形成于上述缓冲层(3)上的超晶格缓冲层(4)；形成于上述超晶格缓冲层(4)的由多层构成的沟道层(5)；和形成于上述沟道层(5)上的势垒层(8)，上述超晶格缓冲层(4)通过交替层叠由AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1.0)的组成构成的厚度a的高含Al层和由AlyGa1‑yN(0≤y≤0.3)的组成构成的厚度b的低含Al层而形成，上述沟道层(5)，与上述超晶格缓冲层(4)接合，并且通过从超晶格缓冲层(4)侧起依次层叠AlzGa1‑zN层(6)和GaN层(7)而形成，上述AlzGa1‑z层(6)的Al组成与上述超晶格缓冲层(4)的平均Al组成相同。
-
公开(公告)号：CN105637620A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056167.8
申请日：2014-09-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/1029 , H01L29/1075 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7783
Abstract: 氮化物半导体包括：形成于衬底(1)上的初始生长层(2)；形成于上述初始生长层(2)上的缓冲层(3)；形成于上述缓冲层(3)上的超晶格缓冲层(4)；形成于上述超晶格缓冲层(4)的由多层构成的沟道层(5)；和形成于上述沟道层(5)上的势垒层(8)，上述超晶格缓冲层(4)通过交替层叠由AlxGa1-xN(0.5≤x≤1.0)的组成构成的厚度a的高含Al层和由AlyGa1-yN(0≤y≤0.3)的组成构成的厚度b的低含Al层而形成，上述沟道层(5)，与上述超晶格缓冲层(4)接合，并且通过从超晶格缓冲层(4)侧起依次层叠AlzGa1-zN层(6)和GaN层(7)而形成，上述AlzGa1-z层(6)的Al组成与上述超晶格缓冲层(4)的平均Al组成相同。
-
公开(公告)号：CN105849868B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201580003367.1
申请日：2015-01-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , C30B29/38 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462
Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。
-
公开(公告)号：CN102104047A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010591565.3
申请日：2010-12-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 井上雄史
IPC: H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L23/522 , H01L21/8247 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/04 , G11C13/0007 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1633
Abstract: 本发明公开了非易失性半导体存储器设备及其生产方法。所述非易失性半导体存储器设备具有的结构使得，成本低，并且生产率和产能较高。在第一金属布线119和第二金属布线121上方同时分别形成第一开口128和第二开口129，所述第一金属布线119和所述第二金属布线121被提供为在其上形成用于选择存储器单元的晶体管的衬底上的同一层。随后，在整个表面上沉积可变电阻器124和上方电极126，以便用所述上方电极126完全填充所述第一开口128但是用其不完全填充所述第二开口129。其后，在所述第一开口128中形成可变电阻元件104并且同时在所述第二开口129中形成用以连接到第三金属布线（位线）的通路孔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105849868A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201580003367.1
申请日：2015-01-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , C30B29/38 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462
Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。
-
公开(公告)号：CN102104047B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010591565.3
申请日：2010-12-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 井上雄史
IPC: H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L23/522 , H01L21/8247 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/04 , G11C13/0007 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1633
Abstract: 本发明公开了非易失性半导体存储器设备及其生产方法。所述非易失性半导体存储器设备具有的结构使得，成本低，并且生产率和产能较高。在第一金属布线119和第二金属布线121上方同时分别形成第一开口128和第二开口129，所述第一金属布线119和所述第二金属布线121被提供为在其上形成用于选择存储器单元的晶体管的衬底上的同一层。随后，在整个表面上沉积可变电阻器124和上方电极126，以便用所述上方电极126完全填充所述第一开口128但是用其不完全填充所述第二开口129。其后，在所述第一开口128中形成可变电阻元件104并且同时在所述第二开口129中形成用以连接到第三金属布线（位线）的通路孔。
-
公开(公告)号：CN107078064A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056003.X
申请日：2015-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/318 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(1)；氮化物半导体层叠结构(5)，其形成在上述衬底(1)上，并且包括第一氮化物半导体层(3)和组成与上述第一氮化物半导体层(3)不同的第二氮化物半导体层(4)，在上述第一氮化物半导体层(3)与上述第二氮化物半导体层(4)的异质界面产生二维电子气；和绝缘膜(9)，其覆盖上述氮化物半导体层叠结构(5)的表面中的至少一部分，且由Si‑H键量为6.0×1021cm‑3以下的氮化硅构成。
-
公开(公告)号：CN102347445B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110215067.3
申请日：2011-07-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明实现一种可变电阻元件和具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置，该可变电阻元件通过抑制伴随成形处理完成的急剧电流，从而降低特性偏差，稳定地进行切换动作。一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极(12a)与第2电极(14)之间夹持电阻变化层(13)而成的可变电阻元件(2)用于信息存储中，可变电阻元件(2)在形成切换界面的第一电极(12a)与电阻变化层(13)之间被插入缓冲层(12b)而成。以如下方式选择缓冲层(12b)和电阻变化层(13)的材料，即:缓冲层(12b)与电阻变化层(13)均包含n型金属氧化物而构成，构成缓冲层(12b)的n型金属氧化物的导带底的能量比构成电阻变化层(13)的n型金属氧化物的导带底的能量低。
-
公开(公告)号：CN102347445A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110215067.3
申请日：2011-07-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明实现一种可变电阻元件和具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置，该可变电阻元件通过抑制伴随成形处理完成的急剧电流，从而降低特性偏差，稳定地进行切换动作。一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极(12a)与第2电极(14)之间夹持电阻变化层(13)而成的可变电阻元件(2)用于信息存储中，可变电阻元件(2)在形成切换界面的第一电极(12a)与电阻变化层(13)之间被插入缓冲层(12b)而成。以如下方式选择缓冲层(12b)和电阻变化层(13)的材料，即:缓冲层(12b)与电阻变化层(13)均包含n型金属氧化物而构成，构成缓冲层(12b)的n型金属氧化物的导带底的能量比构成电阻变化层(13)的n型金属氧化物的导带底的能量低。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.021 seconds)
