-
公开(公告)号：CN109387894A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810786625.3
申请日：2018-07-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 抑制随着小型化的滤波器的特性的下降。周期性结构滤波器(2)中,多种种类的滤波器(22)中的至少一种滤波器以在与滤波器的表面的法线方向正交的方向上,光学参数或形状具有规定的空间规律而变化的方式构成,任意单元(21)、及与该任意单元相邻的至少一个单元的每一个所包含的相同种类滤波器之中的至少一种滤波器以相邻的方式配置。
-
公开(公告)号：CN108738372A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201780007334.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提出的拍摄装置减少红外光图像中包含的映入像的影响。拍摄部(20)具备：拍摄元件(21)，包含红外光图像拍摄区域(21a)以及可见光图像拍摄区域(21b)；以及偏振滤光器(25)，包含主轴方向相互不同的多个偏振元件(25a～25d)的多个偏振单元与构成红外光图像拍摄区域的多个像素对应地二维排列。
-
公开(公告)号：CN103325939A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310093687.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 夏普株式会社 , 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: H01L45/126 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置。本发明实现一种动作裕度宽的高集成存储器。在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持包含金属氧化物的可变电阻体（13）而构成的可变电阻元件（1）中，在这样的金属氧化物中具有流过两电极（12、14）间的电流的电流密度局部高的电流路径，在两电极（12、14）中至少电阻率更高的一个特定电极的电阻率为100μΩcm以上的情况下，将这样的特定电极与可变电阻体（13）接触的接触区域的短边方向或短轴方向的尺寸（R）相对于特定电极的膜厚（d）设定为1.4倍以上。由此，降低起因于电极的加工偏差而在电极部分产生的寄生电阻的偏差，抑制起因于寄生电阻的偏差而产生的可变电阻元件的电阻变化特性的偏差。
-
公开(公告)号：CN101111899A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003878.4
申请日：2006-01-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/31
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置，在高集成的存储单元阵列中，z在读取、写入和擦除的各动作模式间转移时，抑制因随着位线和字线的电位变化的过渡电流而产生的功耗的增加。具有存储单元阵列(1)，其分别在行方向和列方向配置多个两端子的存储单元，该存储单元具有通过施加脉冲而使电阻值可逆地变化的可变电阻元件，同一行的各存储单元的一端连接到公共字线WL1～WLn，同一列的各存储单元的另一端连接到公共位线BL1～BLn，在针对选择存储单元的读取、写入和擦除的各存储动作的动作期间，对未连接到选择存储单元的非选择字线和非选择位线施加公共非选择电压VWE/2。
-
公开(公告)号：CN101681913B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200880015449.8
申请日：2008-04-07
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1741194A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510087650.5
申请日：2005-07-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的非易失性半导体存储装置包括：存储单元选择电路(17)，以行、列或存储单元为单位从存储单元阵列(15)中选择存储单元；读出电压施加电路(22a)，对由存储单元选择电路(17)选出的选择存储单元的可变电阻元件施加读出电压；读出电路(23)，对选择存储单元内的读出对象存储单元检测与该可变电阻元件的电阻值对应流过的读出电流的大小，再读出存储在读出对象存储单元中的信息；读出电压施加电路(22a)将和读出电压反极性的伪读出电压施加给选择存储单元的可变电阻元件。
-
公开(公告)号：CN1641880A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510005723.1
申请日：2005-01-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L45/1675 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的课题是一种配备了具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体(8)的可变电阻元件的非易失性半导体存储器件的制造方法，在比可变电阻体(8)形成前所形成的金属布线层(11)的熔点低的形成温度下形成可变电阻体(8)。更理想的是，在350℃～500℃范围内的成膜温度下，通过溅射法使得用通式Pr1－xCaxMnO3表示的镨－钙－锰氧化物成膜，作为可变电阻体(8)。
-
公开(公告)号：CN1574077A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049572.5
申请日：2004-06-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/4074
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C16/3427 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/77
Abstract: 构成存储器阵列(1)的各可变电阻元件(22)，同一行的一端之间连接共通的字线(20)，同一列的另一端之间连接共通的位线(21)。选择第1字线电压施加到选择字线，选择第2字线电压施加到非选择字线，选择第1位线电压施加到选择位线，选择第2位线电压施加到非选择位线。设定第1字线电压与第1位线电压的电压差在使可变电阻元件的电阻值变化的第1电压差以上，第1字线电压与第2位线电压的电压差、第2字线电压与第1位线电压的电压差、第2字线电压与第2位线电压的电压差的每一个在不使可变电阻元件的电阻值变化的第2电压差以下。
-
-
公开(公告)号：CN103227282A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310033287.3
申请日：2013-01-29
Applicant: 夏普株式会社 , 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明实现了一种能以低电流成型，并能以低电压、低电流进行稳定的切换工作的可变阻抗元件以及一种通过具备该可变阻抗元件实现了低功耗且大容量的非易失性半导体存储装置。一种在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持可变阻抗体（13）而形成的可变阻抗元件（1），可变阻抗体（13）包含阻抗变化层（15）和高氧层（16）的至少2层的金属氧化物或金属氮氧化物。高氧层（16）插入在比第二电极功函数小的第一电极（14）与阻抗变化层（15）之间，以相对于对该金属元素的氧组成比的化学计量组成的比率比相对于对构成阻抗变化层（15）的金属氧化物的金属元素的氧组成比的化学计量组成的比率变大的方式，来调整金属氧化物的氧浓度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.023 seconds)
