公开(公告)号：CN1641880A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510005723.1

申请日：2005-01-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川添豪哉 ,  玉井幸夫 ,  岛冈笃志 ,  萩原直人 ,  松下祐二 ,  西汤二

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是一种配备了具有由钙钛矿型金属氧化膜构成的可变电阻体(8)的可变电阻元件的非易失性半导体存储器件的制造方法，在比可变电阻体(8)形成前所形成的金属布线层(11)的熔点低的形成温度下形成可变电阻体(8)。更理想的是，在350℃～500℃范围内的成膜温度下，通过溅射法使得用通式Pr1－xCaxMnO3表示的镨－钙－锰氧化物成膜，作为可变电阻体(8)。

公开(公告)号：CN1641879A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510004327.7

申请日：2005-01-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川添豪哉 ,  玉井幸夫 ,  岛冈笃志 ,  萩原直人 ,  增田秀俊 ,  铃木利昌

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C11/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

Abstract: 非易失性存储元件(10)通过依次层叠下部电极(7)、可变电阻体(8)和上部电极(9)构成，可变电阻体(8)在结晶和无定形混合存在的状态下成膜，形成非易失性存储元件(10)。更为理想的是，可变电阻体(8)是在350℃～500℃的范围内的成膜温度下成膜的可用通式Pr1－xCaxMnO3表示的镨·钙·锰氧化物。或者，可变电阻体(8)通过在形成无定形状态或者结晶和无定形混合存在的状态的成膜温度下成膜后，在比上述成膜温度高的温度下并且在可变电阻体(8)能够维持结晶和无定形混合存在的状态的温度范围内进行退火处理而形成。