公开(公告)号：CN1641879A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510004327.7

申请日：2005-01-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川添豪哉 ,  玉井幸夫 ,  岛冈笃志 ,  萩原直人 ,  增田秀俊 ,  铃木利昌

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C11/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/78 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

Abstract: 非易失性存储元件(10)通过依次层叠下部电极(7)、可变电阻体(8)和上部电极(9)构成，可变电阻体(8)在结晶和无定形混合存在的状态下成膜，形成非易失性存储元件(10)。更为理想的是，可变电阻体(8)是在350℃～500℃的范围内的成膜温度下成膜的可用通式Pr1－xCaxMnO3表示的镨·钙·锰氧化物。或者，可变电阻体(8)通过在形成无定形状态或者结晶和无定形混合存在的状态的成膜温度下成膜后，在比上述成膜温度高的温度下并且在可变电阻体(8)能够维持结晶和无定形混合存在的状态的温度范围内进行退火处理而形成。