公开(公告)号：CN103227282A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310033287.3

申请日：2013-01-29

Applicant: 夏普株式会社 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 中野贵司 ,  玉井幸夫 ,  浅野勇 ,  相泽一雄

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L45/145 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明实现了一种能以低电流成型，并能以低电压、低电流进行稳定的切换工作的可变阻抗元件以及一种通过具备该可变阻抗元件实现了低功耗且大容量的非易失性半导体存储装置。一种在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持可变阻抗体（13）而形成的可变阻抗元件（1），可变阻抗体（13）包含阻抗变化层（15）和高氧层（16）的至少2层的金属氧化物或金属氮氧化物。高氧层（16）插入在比第二电极功函数小的第一电极（14）与阻抗变化层（15）之间，以相对于对该金属元素的氧组成比的化学计量组成的比率比相对于对构成阻抗变化层（15）的金属氧化物的金属元素的氧组成比的化学计量组成的比率变大的方式，来调整金属氧化物的氧浓度。

公开(公告)号：CN103325939A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310093687.3

申请日：2013-03-22

Applicant: 夏普株式会社 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 玉井幸夫 ,  中野贵司 ,  粟屋信义 ,  相泽一雄 ,  浅野勇 ,  日向野直也 ,  川越刚

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C16/06

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置。本发明实现一种动作裕度宽的高集成存储器。在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持包含金属氧化物的可变电阻体（13）而构成的可变电阻元件（1）中，在这样的金属氧化物中具有流过两电极（12、14）间的电流的电流密度局部高的电流路径，在两电极（12、14）中至少电阻率更高的一个特定电极的电阻率为100μΩcm以上的情况下，将这样的特定电极与可变电阻体（13）接触的接触区域的短边方向或短轴方向的尺寸（R）相对于特定电极的膜厚（d）设定为1.4倍以上。由此，降低起因于电极的加工偏差而在电极部分产生的寄生电阻的偏差，抑制起因于寄生电阻的偏差而产生的可变电阻元件的电阻变化特性的偏差。