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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103325939A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310093687.3
申请日：2013-03-22
Applicant: 夏普株式会社 , 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: H01L45/126 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置。本发明实现一种动作裕度宽的高集成存储器。在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持包含金属氧化物的可变电阻体（13）而构成的可变电阻元件（1）中，在这样的金属氧化物中具有流过两电极（12、14）间的电流的电流密度局部高的电流路径，在两电极（12、14）中至少电阻率更高的一个特定电极的电阻率为100μΩcm以上的情况下，将这样的特定电极与可变电阻体（13）接触的接触区域的短边方向或短轴方向的尺寸（R）相对于特定电极的膜厚（d）设定为1.4倍以上。由此，降低起因于电极的加工偏差而在电极部分产生的寄生电阻的偏差，抑制起因于寄生电阻的偏差而产生的可变电阻元件的电阻变化特性的偏差。
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公开(公告)号：CN100470823C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610105510.0
申请日：2006-07-07
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: H01L27/2472 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 在半导体存储器中，所述的半导体存储器包含存储单元的矩阵，每个存储单元由一个晶体管和作为存储元件的一个硫属元素化物层组成，在连接到硫属元素化物层的上电极线和另一配线层之间的接头处没有安置硫属元素化物层。
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公开(公告)号：CN1897292A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610105510.0
申请日：2006-07-07
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
CPC classification number: H01L27/2472 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675
Abstract: 在半导体存储器中，所述的半导体存储器包含存储单元的矩阵，每个存储单元由一个晶体管和作为存储元件的一个硫属元素化物层组成，在连接到硫属元素化物层的上电极线和另一配线层之间的接头处没有安置硫属元素化物层。
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公开(公告)号：CN1624924A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410098253.3
申请日：2004-12-01
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/65 , H01L21/32136 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10882 , H01L28/91
Abstract: 在形成上电极保护膜从而使其与上电极的钌膜紧密接触而并未损坏钌膜之后，对上电极进行刻蚀，从而获得MIM电容器，其中并不会由于上电极的钌膜的氧化而导致漏电流的增加。
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公开(公告)号：CN1331214C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410098253.3
申请日：2004-12-01
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/65 , H01L21/32136 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10882 , H01L28/91
Abstract: 在形成上电极保护膜从而使其与上电极的钌膜紧密接触而并未损坏钌膜之后，对上电极进行刻蚀，从而获得MIM电容器，其中并不会由于上电极的钌膜的氧化而导致漏电流的增加。
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