公开(公告)号：CN1624924A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410098253.3

申请日：2004-12-01

Applicant: 尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 中村吉孝 ,  川越刚 ,  佐久间浩 ,  浅野勇 ,  黑木启二 ,  五嶋秀和 ,  饭岛晋平

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10882 ,  H01L28/91

Abstract: 在形成上电极保护膜从而使其与上电极的钌膜紧密接触而并未损坏钌膜之后，对上电极进行刻蚀，从而获得MIM电容器，其中并不会由于上电极的钌膜的氧化而导致漏电流的增加。

公开(公告)号：CN1331214C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200410098253.3

申请日：2004-12-01

Applicant: 尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 中村吉孝 ,  川越刚 ,  佐久间浩 ,  浅野勇 ,  黑木启二 ,  五嶋秀和 ,  饭岛晋平

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/32136 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10882 ,  H01L28/91

Abstract: 在形成上电极保护膜从而使其与上电极的钌膜紧密接触而并未损坏钌膜之后，对上电极进行刻蚀，从而获得MIM电容器，其中并不会由于上电极的钌膜的氧化而导致漏电流的增加。