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公开(公告)号：CN109257535A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810726157.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06K9/00617 , G02B5/3025 , G06F1/1605 , G06F21/32 , G06K9/00604 , G06K9/2036 , H04N5/2252 , H04N5/2254 , H04N5/23219
Abstract: 便携式信息终端(1A)包括：出射光偏振滤光片(4a)，其具有第一方向的透射轴；红外光源(4c)，其通过该滤光片射出近红外光；受光偏振滤光片(5a)，其具有第二方向的透射轴；以及拍摄部(5c)，其通过该滤光片接收来自物体的反射光，第二方向相对于第一方向的角度被规定为使得受光偏振滤光片(5a)遮挡反射光中的具有偏振性的光的至少一部分。
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公开(公告)号：CN114342560B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980100045.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/14 , H10K50/13 , H10K50/115 , H05B33/10
Abstract: 发光元件(2)的发光层(8)包括配位于量子点(14、16)的卤素配体和有机配体。所述发光层包括空穴传输层(10)侧的第一区域(14A)和电子传输层(6)侧的第二区域(16A)。在所述第一区域中，所述卤素配体的浓度高于所述有机配体的浓度，在所述第二区域中，所述卤素配体的浓度低于所述有机配体的浓度。
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公开(公告)号：CN109033942A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810569895.9
申请日：2018-06-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06K9/00604 , G06K9/0061 , G06K9/00617 , G06K9/628 , G06T7/62 , G06T2207/30041 , G06F21/32
Abstract: 本发明提供一种使虹膜认证的精度提高的认证装置及认证方法。信息处理装置(1)包括：映入去除部(110)，其从拍摄装置(11)获取的被摄体(H)的第一图像(IMG1)去除眼球(HE)的正反射光成分的至少一部分而生成第二图像(IMG2)；虹膜代码制成部(121)，其基于第二图像制成虹膜代码；以及瞳孔开度计算部(122)，其基于第二图像计算瞳孔开度。
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公开(公告)号：CN109387894A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810786625.3
申请日：2018-07-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 抑制随着小型化的滤波器的特性的下降。周期性结构滤波器(2)中,多种种类的滤波器(22)中的至少一种滤波器以在与滤波器的表面的法线方向正交的方向上,光学参数或形状具有规定的空间规律而变化的方式构成,任意单元(21)、及与该任意单元相邻的至少一个单元的每一个所包含的相同种类滤波器之中的至少一种滤波器以相邻的方式配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109075178A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024488.3
申请日：2017-03-08
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 实现一种具备使偏振特性提高的狭缝型的偏振滤光器的拍摄装置。拍摄装置(100)的偏振部(10)具备隔着电介质层(14)的第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)，在第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的各偏振片层中，形成有沿规定的方向周期性地排列的多个狭缝(13)。第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的形成材料及控制受光部(11)的动作的布线层的形成材料分别为选自Al、Si、Cu、Au、Ag、Pt、W、Ti、Sn、In、Ga、Zn或包含这些元素中的至少一个的化合物或合金的材料。
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公开(公告)号：CN108738372A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201780007334.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提出的拍摄装置减少红外光图像中包含的映入像的影响。拍摄部(20)具备：拍摄元件(21)，包含红外光图像拍摄区域(21a)以及可见光图像拍摄区域(21b)；以及偏振滤光器(25)，包含主轴方向相互不同的多个偏振元件(25a～25d)的多个偏振单元与构成红外光图像拍摄区域的多个像素对应地二维排列。
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公开(公告)号：CN114342560A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201980100045.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 发光元件(2)的发光层(8)包括配位于量子点(14、16)的卤素配体和有机配体。所述发光层包括空穴传输层(10)侧的第一区域(14A)和电子传输层(6)侧的第二区域(16A)。在所述第一区域中，所述卤素配体的浓度高于所述有机配体的浓度，在所述第二区域中，所述卤素配体的浓度低于所述有机配体的浓度。
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公开(公告)号：CN104054166A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201380005634.X
申请日：2013-01-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/152 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7787
Abstract: 异质结型FET用外延晶片包括在Si衬底上依次层叠的AlN基底层、组成分阶段变化缓冲层结构、超晶格缓冲层结构、GaN沟道层和氮化物半导体的电子供给层，组成分阶段变化缓冲层结构包括以Al组成比依次降低的方式层叠的多个AlGaN缓冲层，其最上层具有AlxGa1-xN(0＜x)的组成，在超晶格缓冲层结构内，从AlyGa1-yN(y≤1)超晶格构成层和AlzGa1-zN(0＜z＜y)超晶格构成层中的任一个开始，这些超晶格构成层交替地层叠多次，AlxGa1-xN缓冲层和AlzGa1-zN超晶格构成层满足x-0.05≤z≤x+0.05条件。
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