公开(公告)号：CN104054166A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201380005634.X

申请日：2013-01-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 布袋田畅行 ,  寺口信明 ,  本田大辅 ,  伊藤伸之 ,  松林雅和 ,  松笠治彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/152 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787

Abstract: 异质结型FET用外延晶片包括在Si衬底上依次层叠的AlN基底层、组成分阶段变化缓冲层结构、超晶格缓冲层结构、GaN沟道层和氮化物半导体的电子供给层，组成分阶段变化缓冲层结构包括以Al组成比依次降低的方式层叠的多个AlGaN缓冲层，其最上层具有AlxGa1-xN(0＜x)的组成，在超晶格缓冲层结构内，从AlyGa1-yN(y≤1)超晶格构成层和AlzGa1-zN(0＜z＜y)超晶格构成层中的任一个开始，这些超晶格构成层交替地层叠多次，AlxGa1-xN缓冲层和AlzGa1-zN超晶格构成层满足x-0.05≤z≤x+0.05条件。

公开(公告)号：CN103229284A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180057500.3

申请日：2011-09-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村石桂一 ,  J.特怀纳姆 ,  吐田真一 ,  松笠治彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4903

Abstract: 在层间绝缘膜上的与第一电极（1）中包含第一直线形基部（1a）及第一梳形电极部（1b，1c）的第一直线形基部（1a）侧的区域对应的区域形成第一电极板（11），该第一电极板（11）通过通孔与第一电极（1）连接。在层间绝缘膜上的与第二电极（2）中包含第二梳形电极部（2b）的第二直线形基部（2a）侧的区域对应的区域形成第二电极板（12），该第二电极板（12）通过通孔与第二电极（2）连接。在层间绝缘膜上的与第三电极（3）中包含第三梳形电极部（3b）的第三直线形基部（3a）侧的区域对应的区域形成第三电极板（13），该第三电极板（13）通过通孔与第三电极（3）连接。由此，提供一种减小导通电阻以应对大电流且实现小型化的氮化物半导体装置。

公开(公告)号：CN103229284B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201180057500.3

申请日：2011-09-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村石桂一 ,  J.特怀纳姆 ,  吐田真一 ,  松笠治彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4903

Abstract: 在层间绝缘膜上的与第一电极（1）中包含第一直线形基部（1a）及第一梳形电极部（1b，1c）的第一直线形基部（1a）侧的区域对应的区域形成第一电极板（11），该第一电极板（11）通过通孔与第一电极（1）连接。在层间绝缘膜上的与第二电极（2）中包含第二梳形电极部（2b）的第二直线形基部（2a）侧的区域对应的区域形成第二电极板（12），该第二电极板（12）通过通孔与第二电极（2）连接。在层间绝缘膜上的与第三电极（3）中包含第三梳形电极部（3b）的第三直线形基部（3a）侧的区域对应的区域形成第三电极板（13），该第三电极板（13）通过通孔与第三电极（3）连接。由此，提供一种减小导通电阻以应对大电流且实现小型化的氮化物半导体装置。