公开(公告)号：CN105873677A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480071835.4

申请日：2014-08-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈崎真也 ,  西中浩之 ,  松林雅和

IPC: B01J35/02 ,  B01J23/652 ,  B01J23/89 ,  B01J35/08 ,  B01J37/02

CPC classification number: B01J23/6527 ,  B01J21/063 ,  B01J23/30 ,  B01J23/888 ,  B01J23/8993 ,  B01J35/0006 ,  B01J35/004 ,  B01J35/008 ,  B01J35/0086 ,  B01J37/0201 ,  B01J37/0215 ,  B01J37/0221 ,  B01J37/0225 ,  B01J37/0234 ,  B01J37/0244 ,  B01J37/035 ,  B01J37/345 ,  B01J2523/00 ,  B01J2523/17 ,  B01J2523/47 ,  B01J2523/69 ,  B01J2523/828 ,  B01J2523/824

Abstract: 提供具有耐碱性且由中毒作用导致的光催化剂性能的劣化少的光催化剂材料及其制造方法，因此本发明的一方式的光催化剂材料(1A)包括：芯颗粒(2)，其包含氧化钨；助催化剂(4)，其形成于芯颗粒(2)的表面；以及壳层(3)，其包含氧化钛，包覆芯颗粒(2)和助催化剂(4)的表面整体。

公开(公告)号：CN105163848A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480024107.8

申请日：2014-08-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈崎真也 ,  西中浩之 ,  松林雅和

IPC: B01J23/30 ,  A61L9/00 ,  A61L9/01 ,  B01D53/86 ,  B01J23/652 ,  B01J23/85 ,  B01J35/02

Abstract: 本发明的一方式的光催化剂材料(1A)包含芯颗粒(2)和包覆芯颗粒(2)表面整体的壳层(3)，芯颗粒(2)至少包含氧化钨，壳层(3)包含氧化钛。

公开(公告)号：CN104254908A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380021901.2

申请日：2013-04-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松林雅和 ,  寺口信明 ,  伊藤伸之

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: III族氮化物半导体叠层衬底(100)具备：沟道层(5)，该沟道层(5)为III族氮化物半导体：和势垒层(6)，该势垒层(6)形成在沟道层(5)上，与沟道层(5)形成异质界面，并且为III族氮化物半导体，势垒层(6、206)中，距表面的深度为10nm以下的区域的Cu浓度为1.0×1010(原子数/cm2)以下。

公开(公告)号：CN110354844A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910666561.8

申请日：2014-08-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈崎真也 ,  西中浩之 ,  松林雅和

IPC: B01J23/30 ,  B01J23/652 ,  B01J23/85 ,  B01J35/02 ,  B01D53/86 ,  B01D53/88

Abstract: 本发明的一方式的光催化剂材料(1A)包含芯颗粒(2)和包覆芯颗粒(2)表面整体的壳层(3)，芯颗粒(2)至少包含氧化钨，壳层(3)包含氧化钛。

公开(公告)号：CN104054166A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201380005634.X

申请日：2013-01-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 布袋田畅行 ,  寺口信明 ,  本田大辅 ,  伊藤伸之 ,  松林雅和 ,  松笠治彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/152 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787

Abstract: 异质结型FET用外延晶片包括在Si衬底上依次层叠的AlN基底层、组成分阶段变化缓冲层结构、超晶格缓冲层结构、GaN沟道层和氮化物半导体的电子供给层，组成分阶段变化缓冲层结构包括以Al组成比依次降低的方式层叠的多个AlGaN缓冲层，其最上层具有AlxGa1-xN(0＜x)的组成，在超晶格缓冲层结构内，从AlyGa1-yN(y≤1)超晶格构成层和AlzGa1-zN(0＜z＜y)超晶格构成层中的任一个开始，这些超晶格构成层交替地层叠多次，AlxGa1-xN缓冲层和AlzGa1-zN超晶格构成层满足x-0.05≤z≤x+0.05条件。