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公开(公告)号:CN105873677A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201480071835.4
申请日:2014-08-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: B01J35/02 , B01J23/652 , B01J23/89 , B01J35/08 , B01J37/02
CPC classification number: B01J23/6527 , B01J21/063 , B01J23/30 , B01J23/888 , B01J23/8993 , B01J35/0006 , B01J35/004 , B01J35/008 , B01J35/0086 , B01J37/0201 , B01J37/0215 , B01J37/0221 , B01J37/0225 , B01J37/0234 , B01J37/0244 , B01J37/035 , B01J37/345 , B01J2523/00 , B01J2523/17 , B01J2523/47 , B01J2523/69 , B01J2523/828 , B01J2523/824
Abstract: 提供具有耐碱性且由中毒作用导致的光催化剂性能的劣化少的光催化剂材料及其制造方法,因此本发明的一方式的光催化剂材料(1A)包括:芯颗粒(2),其包含氧化钨;助催化剂(4),其形成于芯颗粒(2)的表面;以及壳层(3),其包含氧化钛,包覆芯颗粒(2)和助催化剂(4)的表面整体。
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公开(公告)号:CN1739187A
公开(公告)日:2006-02-22
申请号:CN200480002402.X
申请日:2004-01-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , Y10T117/1024
Abstract: 用本发明的结晶半导体元件的制造方法在半导体层(2)的表面形成热传导率比基板(4)高的热扩散层(1)后,从该热扩散层(1)之上对半导体层(2)照射激光,通过这样,能制造结晶比现有长的结晶半导体元件。而且采用本发明能提供一种具有比现有晶粒直径更大的半导体层的结晶半导体元件。
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公开(公告)号:CN112007698A
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN202010451398.6
申请日:2020-05-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种组成物、涂覆方法以及多层结构体。组成物含有氧化钨粒子、除氧化钨粒子以外的无机粒子以及溶剂。所述无机粒子优选粘土矿物。所述粘土矿物优选膨润土、皂石或云母。所述氧化钨粒子的体积中位径(D50)为0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号:CN112275277A
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN201910760214.1
申请日:2019-08-16
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种不会使光催化活性降低,且能够使光催化剂的分散稳定性提高的光催化剂组合物。光催化剂组合物包括含有氧化钨颗粒的光催化剂、增稠剂和分散介质。增稠剂包括无机增稠剂或纤维素纳米纤维。氧化钨颗粒的体积中值粒径优选为0.5um以上且10.0um以下。相对于氧化钨颗粒的质量,增稠剂的含量优选为0.5质量%以上且1000.0质量%以下。
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