-
公开(公告)号：CN1739187A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002402.X
申请日：2004-01-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , Y10T117/1024
Abstract: 用本发明的结晶半导体元件的制造方法在半导体层(2)的表面形成热传导率比基板(4)高的热扩散层(1)后，从该热扩散层(1)之上对半导体层(2)照射激光，通过这样，能制造结晶比现有长的结晶半导体元件。而且采用本发明能提供一种具有比现有晶粒直径更大的半导体层的结晶半导体元件。
Search Results
1
records
(took 0.019 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
