公开(公告)号：CN104254908A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201380021901.2

申请日：2013-04-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松林雅和 ,  寺口信明 ,  伊藤伸之

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: III族氮化物半导体叠层衬底(100)具备：沟道层(5)，该沟道层(5)为III族氮化物半导体：和势垒层(6)，该势垒层(6)形成在沟道层(5)上，与沟道层(5)形成异质界面，并且为III族氮化物半导体，势垒层(6、206)中，距表面的深度为10nm以下的区域的Cu浓度为1.0×1010(原子数/cm2)以下。

公开(公告)号：CN105849868A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201580003367.1

申请日：2015-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  藤重阳介 ,  伊藤伸之 ,  冈崎舞 ,  井上雄史 ,  田尻雅之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。

公开(公告)号：CN104054166A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201380005634.X

申请日：2013-01-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 布袋田畅行 ,  寺口信明 ,  本田大辅 ,  伊藤伸之 ,  松林雅和 ,  松笠治彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/152 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787

Abstract: 异质结型FET用外延晶片包括在Si衬底上依次层叠的AlN基底层、组成分阶段变化缓冲层结构、超晶格缓冲层结构、GaN沟道层和氮化物半导体的电子供给层，组成分阶段变化缓冲层结构包括以Al组成比依次降低的方式层叠的多个AlGaN缓冲层，其最上层具有AlxGa1-xN(0＜x)的组成，在超晶格缓冲层结构内，从AlyGa1-yN(y≤1)超晶格构成层和AlzGa1-zN(0＜z＜y)超晶格构成层中的任一个开始，这些超晶格构成层交替地层叠多次，AlxGa1-xN缓冲层和AlzGa1-zN超晶格构成层满足x-0.05≤z≤x+0.05条件。

公开(公告)号：CN102891174A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210247003.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 寺口信明 ,  本田大辅 ,  伊藤伸之 ,  矢仓基次

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种包括氮化物基半导体层的外延片，其能够使用于异质结场效应晶体管，该外延片在Si基板上依次包括：AlN或AlON的第一缓冲层、阶梯性地减小Al组成比的AlxGa1-xN的第二缓冲层、配置于该第二缓冲层上且AlaGa1-aN层/AlbGa1-bN层重复的多层所构成的第三缓冲层、GaN沟道层及电子供给层，该第二缓冲层最上部的Al组成比x在0≤x≤0.3的范围内。

公开(公告)号：CN105637620B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201480056167.8

申请日：2014-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上雄史 ,  小河淳 ,  伊藤伸之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体包括：形成于衬底(1)上的初始生长层(2)；形成于上述初始生长层(2)上的缓冲层(3)；形成于上述缓冲层(3)上的超晶格缓冲层(4)；形成于上述超晶格缓冲层(4)的由多层构成的沟道层(5)；和形成于上述沟道层(5)上的势垒层(8)，上述超晶格缓冲层(4)通过交替层叠由AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1.0)的组成构成的厚度a的高含Al层和由AlyGa1‑yN(0≤y≤0.3)的组成构成的厚度b的低含Al层而形成，上述沟道层(5)，与上述超晶格缓冲层(4)接合，并且通过从超晶格缓冲层(4)侧起依次层叠AlzGa1‑zN层(6)和GaN层(7)而形成，上述AlzGa1‑z层(6)的Al组成与上述超晶格缓冲层(4)的平均Al组成相同。

公开(公告)号：CN105637620A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480056167.8

申请日：2014-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上雄史 ,  小河淳 ,  伊藤伸之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

Abstract: 氮化物半导体包括：形成于衬底(1)上的初始生长层(2)；形成于上述初始生长层(2)上的缓冲层(3)；形成于上述缓冲层(3)上的超晶格缓冲层(4)；形成于上述超晶格缓冲层(4)的由多层构成的沟道层(5)；和形成于上述沟道层(5)上的势垒层(8)，上述超晶格缓冲层(4)通过交替层叠由AlxGa1-xN(0.5≤x≤1.0)的组成构成的厚度a的高含Al层和由AlyGa1-yN(0≤y≤0.3)的组成构成的厚度b的低含Al层而形成，上述沟道层(5)，与上述超晶格缓冲层(4)接合，并且通过从超晶格缓冲层(4)侧起依次层叠AlzGa1-zN层(6)和GaN层(7)而形成，上述AlzGa1-z层(6)的Al组成与上述超晶格缓冲层(4)的平均Al组成相同。

公开(公告)号：CN101901834B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201010194163.X

申请日：2010-05-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 寺口信明

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/30 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管是具有低接触电阻且能够避免导通电阻的增大、维持高沟道迁移率的实现常闭动作的场效应晶体管。该场效应晶体管由于使AlGaN势垒层(6)的薄层部(6a)形成在第二GaN层(4)的V缺陷(13)以及与V缺陷(13)相连接的第三GaN层(5)的非生长区域(G1)上，因此无需进行蚀刻也能够使薄层部(6a)的厚度比平坦部(6b)的厚度薄。因此，不会由于蚀刻损伤使沟道迁移率下降，能够避免使导通电阻增大。

公开(公告)号：CN105849868B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201580003367.1

申请日：2015-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  藤重阳介 ,  伊藤伸之 ,  冈崎舞 ,  井上雄史 ,  田尻雅之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。

公开(公告)号：CN105684136A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480059057.7

申请日：2014-11-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 印南航介 ,  寺口信明

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L27/0281 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体器件包括常截止型的第一晶体管、常导通型的第二晶体管和常导通型的第三晶体管。上述第一晶体管与上述第二晶体管共源共栅连接，上述第三晶体管与上述第二晶体管并联连接。上述第二晶体管和上述第三晶体管各自的截止耐压比上述第一晶体管的截止耐压高，上述第三晶体管的接通时间比上述第二晶体管的接通时间短。

公开(公告)号：CN104246982A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021774.6

申请日：2013-02-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 寺口信明

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/08 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7786

Abstract: 根据该氮化物半导体生长装置，在含氮的原料气体的流动的从反应部(102)起上游侧的包括反应部(102)的区域，原料气体所接触的部分(气体导入部(112)、电流导入部(145)、视口部(160)等)由非铜类材料(即不含铜的材料)制成。由此，能够防止上述原料气体被铜污染。因此，能够防止上述氮化物半导体被铜污染，能够避免电子和空穴被上述氮化物半导体俘获。由此，提供能够制作能够抑制电流崩塌的氮化物半导体的氮化物半导体生长装置。