公开(公告)号：CN103370777B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201280008771.4

申请日：2012-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 栗田大佑 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 由在基板上依次层积的GaN层（1）、AlGaN层（2）和在基板上形成的栅极电极、源极电极、漏极电极以及AlGaN层（2）的有源区域形成异质结场效应晶体管。具有在该异质结场效应晶体管的有源区域以外的AlGaN层（2）上隔着绝缘膜（30形成的可焊接区域（31a）的漏极电极焊盘（31）与漏极电极连接。在AlGaN层（2）上并且在源极电极与漏极电极焊盘（31）的可焊接区域（31a）之间形成与栅极电极连接的栅极电极延伸部（14）。从而提供一种在不增大元件尺寸的情况下能够提高在无层间绝缘膜的绝缘膜上形成的漏极电极焊盘的可焊接区域与源极电极之间的耐压的半导体装置。

公开(公告)号：CN103370777A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280008771.4

申请日：2012-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 栗田大佑 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 由在基板上依次层积的GaN层（1）、AlGaN层（2）和在基板上形成的栅极电极、源极电极、漏极电极以及AlGaN层（2）的有源区域形成异质结场效应晶体管。具有在该异质结场效应晶体管的有源区域以外的AlGaN层（2）上隔着绝缘膜（30形成的可焊接区域（31a）的漏极电极焊盘（31）与漏极电极连接。在AlGaN层（2）上并且在源极电极与漏极电极焊盘（31）的可焊接区域（31a）之间形成与栅极电极连接的栅极电极延伸部（14）。从而提供一种在不增大元件尺寸的情况下能够提高在无层间绝缘膜的绝缘膜上形成的漏极电极焊盘的可焊接区域与源极电极之间的耐压的半导体装置。

公开(公告)号：CN111903191A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201880091687.0

申请日：2018-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田吉裕 ,  吐田真一 ,  岩田升

IPC: H05B33/14 ,  G02B5/20 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 提升发光元件的发光效率为目的，提供一种发光元件(2)，其包括：第一电极(4)、第二电极(12)、量子点(16)层叠在第一电极与第二电极之间的量子点层(8)、在所述量子点层与所述第一电极之间的空穴输送层(6)，所述发光元件特征在于：所述空穴输送层由包括互相不同的材料的多层构成，所述空穴输送层的多层从所述第一电极到所述量子点层，各层的电离势变大，在所述空穴输送层的多层中，与所述量子点层相接的层(6c)的电离势大于所述量子点层的电离势。

公开(公告)号：CN106030768A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201480076361.2

申请日：2014-12-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吐田真一 ,  久保胜

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/564 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体器件，其包括：以包围元件形成区域(10)的周围的方式形成在半导体衬底(21)上，经由绝缘膜(27)地在衬底厚度方向上延伸的壁状的第一保护环结构体(11)；和以包围元件形成区域(10)的周围的方式形成在半导体衬底(21)上的元件形成区域(10)与第一保护环结构体(11)之间，经由绝缘膜(26、27)地在衬底厚度方向上延伸的壁状的第二保护环结构体(12)。第一、第二保护环结构体(11、12)由导电材料构成，第一保护环结构体(11)设置成与半导体衬底(21)和元件形成区域(10)及第二保护环结构体(12)绝缘的状态。由此，能够防止半导体元件与接合材料之间的泄漏并且防止水分及可动离子侵入半导体元件。

公开(公告)号：CN105264651A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480030391.X

申请日：2014-05-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，缓冲层(2)的高电阻层(3)侧的碳浓度为0.8×1019/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下，高电阻层(3)的缓冲层(2)侧的碳浓度为3.7×1018/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下，高电阻层(3)的沟道层(4)侧的碳浓度为1.4×1019/cm3以上且为1.0×1021/cm3以下。

公开(公告)号：CN112714965A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201880097733.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吐田真一 ,  岩田升

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 以提高发光装置的亮度、发光效率为目的，包括：阳极；阴极；发光层，设置于阳极与阴极之间，以及空穴输送层，设置于阳极与发光层之间，且包含金属氧化物以及调整于规定的含有比例的碳。

公开(公告)号：CN103930978B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201280055638.4

申请日：2012-10-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786

Abstract: 根据该GaN类HFET，形成栅极绝缘膜(17)的半绝缘膜的电阻率ρ为3.9×109Ωcm，该电阻率ρ的值是电流密度为6.25×10‑4(A/cm2)时的值。通过具有电阻率ρ＝3.9×109Ωcm的半绝缘膜构成的栅极绝缘膜(17)，能够得到1000V的耐受电压。如图3所示，在栅极绝缘膜的电阻率超过1×1011Ωcm时耐受电压急剧降低，在栅极绝缘膜的电阻率低于1×107Ωcm时，栅极泄漏电流增大。

公开(公告)号：CN103229284B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201180057500.3

申请日：2011-09-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村石桂一 ,  J.特怀纳姆 ,  吐田真一 ,  松笠治彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4903

Abstract: 在层间绝缘膜上的与第一电极（1）中包含第一直线形基部（1a）及第一梳形电极部（1b，1c）的第一直线形基部（1a）侧的区域对应的区域形成第一电极板（11），该第一电极板（11）通过通孔与第一电极（1）连接。在层间绝缘膜上的与第二电极（2）中包含第二梳形电极部（2b）的第二直线形基部（2a）侧的区域对应的区域形成第二电极板（12），该第二电极板（12）通过通孔与第二电极（2）连接。在层间绝缘膜上的与第三电极（3）中包含第三梳形电极部（3b）的第三直线形基部（3a）侧的区域对应的区域形成第三电极板（13），该第三电极板（13）通过通孔与第三电极（3）连接。由此，提供一种减小导通电阻以应对大电流且实现小型化的氮化物半导体装置。

公开(公告)号：CN103930978A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280055638.4

申请日：2012-10-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 永久哲三 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786

Abstract: 根据该GaN类HFET，形成栅极绝缘膜(17)的半绝缘膜的电阻率ρ为3.9×109Ωcm，该电阻率ρ的值是电流密度为6.25×10-4(A/cm2)时的值。通过具有电阻率ρ＝3.9×109Ωcm的半绝缘膜构成的栅极绝缘膜(17)，能够得到1000V的耐受电压。如图所示，在栅极绝缘膜的电阻率超过1×1011Ωcm时耐受电压急剧降低，在栅极绝缘膜的电阻率低于1×107Ωcm时，栅极泄漏电流增大。

公开(公告)号：CN114450813A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201980100565.8

申请日：2019-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吐田真一

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 在发光元件中具有：阳极；阴极；发光层，其设置于所述阳极和所述阴极之间；以及空穴输送层，其设置于所述阳极和所述发光层之间；所述空穴输送层包括以层状形成p型半导体材料的p型半导体层和分散于所述p型半导体层的n型半导体材料。