-
公开(公告)号：CN111435782A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN202010023097.3
申请日：2020-01-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 亚力克斯 , 约丁 , 谷本佳美 , 谷善彦 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
Abstract: 本发明提供发光元件(半导体激光元件1)，其具有依次层叠基板(21)、半导体层(22～27)、绝缘层(28)以及金属层(29)的层叠结构，具备多个放射激光的发光部(11)，多个发光部(11)具有脊(脊形波导路12)，至少一个发光部(11)中的从活性区域(24)的特定的位置至金属层(29)的内表面为止的距离与其他发光部(11)不同。
-
公开(公告)号：CN111490455A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911208715.5
申请日：2019-11-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。
-
公开(公告)号：CN102859725A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019633.1
申请日：2011-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其用于制造具有如下特征的化合物半导体发光元件：导电性薄膜（8）的透射率高、接触电阻低且导电性薄膜（8）的薄层电阻低。本发明的化合物半导体发光元件的制造方法的特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在半导体层与基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行一次退火的步骤与进行二次退火的步骤之间，将导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。
-
公开(公告)号：CN111490455B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201911208715.5
申请日：2019-11-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。
-
公开(公告)号：CN111435782B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010023097.3
申请日：2020-01-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 亚力克斯约丁 , 谷本佳美 , 谷善彦 , 瓦莱里·贝里曼-博斯奎特
Abstract: 本发明提供发光元件(半导体激光元件1)，其具有依次层叠基板(21)、半导体层(22～27)、绝缘层(28)以及金属层(29)的层叠结构，具备多个放射激光的发光部(11)，多个发光部(11)具有脊(脊形波导路12)，至少一个发光部(11)中的从活性区域(24)的特定的位置至金属层(29)的内表面为止的距离与其他发光部(11)不同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111525391A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010072729.5
申请日：2020-01-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供可得到获得良好的FFP且可靠性高的FFP的半导体激光元件。半导体激光元件(1)在半导体层(20)中具有：一对第2凹部(130)，其相对于在脊部(110)的两侧形成的第1槽部(120)而在光出射面(170)侧，夹着脊部(110)对置；和一对第3槽部(140)，其从光出射面(170)与第1槽部(120)平行并且夹着脊部(110)。
-
公开(公告)号：CN102859725B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180019633.1
申请日：2011-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其用于制造具有如下特征的化合物半导体发光元件：导电性薄膜（8）的透射率高、接触电阻低且导电性薄膜（8）的薄层电阻低。本发明的化合物半导体发光元件的制造方法的特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在半导体层与基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行一次退火的步骤与进行二次退火的步骤之间，将导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。
-
公开(公告)号：CN102447022A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110293601.2
申请日：2011-09-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其可以实现下述中的至少任一项：使化合物半导体发光元件中含有的透光性氧化物导电膜的透光率提高、薄层电阻降低、薄层电阻的面内分布均匀化、以及相对于接触层的接触电阻降低。在化合物半导体发光元件的制造方法中，将含有发光层的化合物半导体叠层体沉积在基板上，将透光性氧化物导电膜沉积在该化合物半导体叠层体上，对该透光性氧化物导电膜退火，然后在真空氛围中进行冷却。
-
公开(公告)号：CN111525391B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010072729.5
申请日：2020-01-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供可得到获得良好的FFP且可靠性高的FFP的半导体激光元件。半导体激光元件(1)在半导体层(20)中具有：一对第2凹部(130)，其相对于在脊部(110)的两侧形成的第1槽部(120)而在光出射面(170)侧，夹着脊部(110)对置；和一对第3槽部(140)，其从光出射面(170)与第1槽部(120)平行并且夹着脊部(110)。
-
公开(公告)号：CN107078064A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056003.X
申请日：2015-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/318 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(1)；氮化物半导体层叠结构(5)，其形成在上述衬底(1)上，并且包括第一氮化物半导体层(3)和组成与上述第一氮化物半导体层(3)不同的第二氮化物半导体层(4)，在上述第一氮化物半导体层(3)与上述第二氮化物半导体层(4)的异质界面产生二维电子气；和绝缘膜(9)，其覆盖上述氮化物半导体层叠结构(5)的表面中的至少一部分，且由Si‑H键量为6.0×1021cm‑3以下的氮化硅构成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.028 seconds)
