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公开(公告)号：CN104115262B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380009413.X
申请日：2013-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/28575 , H01L29/0847 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体叠层体(20)；和由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12)。氮化物半导体叠层体(20)具有：形成在上述衬底(10)上的第一氮化物半导体层的第二氮化物半导体层(2)。该氮化物半导体器件，在从上述欧姆电极(11、12)至上述氮化物半导体叠层体(20)的深度方向的氧浓度分布中，在比上述欧姆电极(11、12)与上述氮化物半导体叠层体(20)的界面更靠上述衬底(10)侧的区域的上述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，在比上述第一氧浓度峰深的位置具有氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下的第二氧浓度峰。(1)；和与第一氮化物半导体层(1)形成异质界面
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公开(公告)号：CN107431021A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580078398.3
申请日：2015-10-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 在氮化物半导体场效应晶体管中，第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端与凹部(122)的开口缘132相隔距离(D2)，另一方面，第二绝缘膜(110)的凹部(122)侧的端与第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端相隔距离(D12)。漏极电极(106)的凹部(122)外的部分，朝向栅极电极(108)侧呈屋檐状突出，并且以从凹部(122)跨及氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面上的方式形成，且与氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面接触。
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公开(公告)号：CN104185899B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380016278.1
申请日：2013-03-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/402 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L2924/01017
Abstract: 本发明提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。该GaN类HFET在形成在Si衬底(10)上的包括无掺杂GaN层(1)和无掺杂AlGaN层(2)的氮化物半导体叠层体(20)中形成有凹部(106、109)，在该凹部(106、109)中形成有源极电极(11)和漏极电极(12)。在比该由TiAl类材料构成的源极电极(11)以及漏极电极(12)与GaN层(1)的界面(S1、S2)深的区域，具有界面附近的第一氯浓度峰(P11)，在比第一氯浓度峰(P11)深的位置具有氯浓度为1.3×1017cm‑3以下的第二氯浓度峰(P22)。
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公开(公告)号：CN107431021B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201580078398.3
申请日：2015-10-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 在氮化物半导体场效应晶体管中，第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端与凹部(122)的开口缘132相隔距离(D2)，另一方面，第二绝缘膜(110)的凹部(122)侧的端与第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端相隔距离(D12)。漏极电极(106)的凹部(122)外的部分，朝向栅极电极(108)侧呈屋檐状突出，并且以从凹部(122)跨及氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面上的方式形成，且与氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面接触。
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公开(公告)号：CN104395994A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380033935.3
申请日：2013-06-26
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 藤田耕一郎
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/41725 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 根据该电极结构，源极电极(111)和漏极电极(112)以在绝缘膜(107)与氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)的开口边缘(116A、119A)之间与氮化物半导体叠层体(105)的表面接触的方式，从凹部(116、119)形成至绝缘膜(107)的表面(107C)上。根据这样的欧姆电极(111、112)的结构，与欧姆电极的端缘部被夹在氮化物半导体叠层体与绝缘膜之间的以往的电极结构相比，能够使与氮化物半导体叠层体(105)相邻的源极电极(111)和漏极电极(112)的端部的导通时的最大电场强度降低，能够提高导通耐压。
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公开(公告)号：CN112202318A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010654208.0
申请日：2020-07-07
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 抑制在开关时功率PGND的电位变动所致的杂讯输送到控制电路的控制输出电路。功率模块(100)包括功率电路(1)、以及控制电路(2)，PGND与CGND被分离，控制电路(2)的控制输出电路(22)的至少一部分、与CGND隔着绝缘层(24)，配置在互相在不同的层中对向的位置。
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公开(公告)号：CN107078064A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056003.X
申请日：2015-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/318 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(1)；氮化物半导体层叠结构(5)，其形成在上述衬底(1)上，并且包括第一氮化物半导体层(3)和组成与上述第一氮化物半导体层(3)不同的第二氮化物半导体层(4)，在上述第一氮化物半导体层(3)与上述第二氮化物半导体层(4)的异质界面产生二维电子气；和绝缘膜(9)，其覆盖上述氮化物半导体层叠结构(5)的表面中的至少一部分，且由Si‑H键量为6.0×1021cm‑3以下的氮化硅构成。
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公开(公告)号：CN103597582B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280028004.X
申请日：2012-08-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/338 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/452 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，所述氮化物半导体装置包括：形成在Si基板（10）上的未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层2）、以及形成在未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）上的由Ti/Al/TiN构成的欧姆电极（源极11）、漏极（12））。使所述欧姆电极中的氮浓度在1×1016cm-3以上且1×1020cm-3以下。由此，能够降低氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻。
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公开(公告)号：CN110034100A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811347983.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种开关噪声的降低效果较高的功率半导体组件及电子设备。在功率半导体组件(10)中，在绝缘层(121)的一侧的主面形成有由第一至第四电极部(111～114)构成的第一导电层，在另一侧的主面形成有作为第二导电层的导电性基板(101)，通过配置于第一导电层的表面的第一晶体管(131)及第二晶体管(132)的开关控制来切换电流路径从而实施电力转换。在第一电极部(111)及第二电极部(112)之间(区域A3)连接有电容器(141)，在区域A3第二导电层中流通有电流的情况下，能够利用电容器(141)中产生的充放电电流获得磁场抵消效果。
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公开(公告)号：CN109962616A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811368989.6
申请日：2018-11-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明提供一种电源装置，其即使在将GaN系半导体材料作为开关使用的情况下，也能够防止发生开关错误地导通的误导通。电源电路包括由GaN系半导体材料构成的FET即第一开关(UH1)和由GaN系半导体材料构成的FET即第二开关(UL1)，第一开关(UH1)的源极与输入电位侧连接，第一开关(UH1)的漏极与第二开关(UL1)的源极连接的同时与输出电位侧连接，该电源电路将防止一个开关导通时另一开关随之打开的误导通防止电路与第一开关(UH1)的栅极和/或第二开关(UL1)的栅极连接。
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