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公开(公告)号：CN102694084A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210077451.6
申请日：2012-03-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种制造高性能氮化物半导体发光元件的方法，其方法具有：在基板上形成n型氮化物半导体层的工序、在n型氮化物半导体层上形成发光层的工序、在发光层上形成p型氮化物半导体层的工序、在包含氧的环境中把p型氮化物半导体层以第一温度进行热处理的工序、在真空环境中把以第一温度热处理过的p型氮化物半导体层以比第一温度低的第二温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN102817005A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210089814.8
申请日：2012-03-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/165 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及成膜装置和发光装置。其提供一种能形成损伤少且均质的膜的成膜装置和将由该成膜装置形成的膜用作电极的发光装置。成膜装置（1）具备：被配置成包围靶（Ta）的侧方的屏蔽部（6）、配置在靶（Ta）的背面侧并产生磁场的棒状的磁场产生部（4）、以及在作为垂直于靶（Ta）的正反面方向的面的水平面内沿作为垂直于磁场产生部（4）的长尺寸方向的方向的驱动方向来对磁场产生部（4）进行直线往复驱动的驱动部（5）。在磁场产生部（4）位于由驱动部（5）驱动的范围的边界时，磁场产生部（4）与垂直于水平面地对屏蔽部（6）投影时的射影在驱动方向上的距离大于等于10mm。
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公开(公告)号：CN102859725A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019633.1
申请日：2011-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其用于制造具有如下特征的化合物半导体发光元件：导电性薄膜（8）的透射率高、接触电阻低且导电性薄膜（8）的薄层电阻低。本发明的化合物半导体发光元件的制造方法的特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在半导体层与基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行一次退火的步骤与进行二次退火的步骤之间，将导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102859725B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180019633.1
申请日：2011-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其用于制造具有如下特征的化合物半导体发光元件：导电性薄膜（8）的透射率高、接触电阻低且导电性薄膜（8）的薄层电阻低。本发明的化合物半导体发光元件的制造方法的特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在半导体层与基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行一次退火的步骤与进行二次退火的步骤之间，将导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。
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公开(公告)号：CN102447022A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110293601.2
申请日：2011-09-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/0095 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其可以实现下述中的至少任一项：使化合物半导体发光元件中含有的透光性氧化物导电膜的透光率提高、薄层电阻降低、薄层电阻的面内分布均匀化、以及相对于接触层的接触电阻降低。在化合物半导体发光元件的制造方法中，将含有发光层的化合物半导体叠层体沉积在基板上，将透光性氧化物导电膜沉积在该化合物半导体叠层体上，对该透光性氧化物导电膜退火，然后在真空氛围中进行冷却。
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公开(公告)号：CN102694084B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210077451.6
申请日：2012-03-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种制造高性能氮化物半导体发光元件的方法，其方法具有：在基板上形成n型氮化物半导体层的工序、在n型氮化物半导体层上形成发光层的工序、在发光层上形成p型氮化物半导体层的工序、在包含氧的环境中把p型氮化物半导体层以第一温度进行热处理的工序、在真空环境中把以第一温度热处理过的p型氮化物半导体层以比第一温度低的第二温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN102339921B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110202946.2
申请日：2011-07-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。
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公开(公告)号：CN102339921A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110202946.2
申请日：2011-07-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。
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