公开(公告)号：CN102817005A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210089814.8

申请日：2012-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐佐木博司 ,  园田孝德

IPC: C23C14/35 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/165 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及成膜装置和发光装置。其提供一种能形成损伤少且均质的膜的成膜装置和将由该成膜装置形成的膜用作电极的发光装置。成膜装置（1）具备：被配置成包围靶（Ta）的侧方的屏蔽部（6）、配置在靶（Ta）的背面侧并产生磁场的棒状的磁场产生部（4）、以及在作为垂直于靶（Ta）的正反面方向的面的水平面内沿作为垂直于磁场产生部（4）的长尺寸方向的方向的驱动方向来对磁场产生部（4）进行直线往复驱动的驱动部（5）。在磁场产生部（4）位于由驱动部（5）驱动的范围的边界时，磁场产生部（4）与垂直于水平面地对屏蔽部（6）投影时的射影在驱动方向上的距离大于等于10mm。

公开(公告)号：CN1266740C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN03178446.1

申请日：2003-07-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐佐木博司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B6/00 ,  C23C14/564 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/67028 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供一种用于在处理设备中去除微粒的装置，所述处理设备包括真空容器单元，所述真空容器单元具有多个腔室，在所述腔室中对由处于大气压下的传送单元送入的晶片执行预定处理，所述去除微粒的装置包括：电荷中和装置，用于中和在晶片表面上产生的电荷，所述电荷中和装置安装在等待-容纳单元中，所述等待-容纳单元组成传送单元的一部分；和充电装置，用于通过静电力吸收真空容器单元中的微粒，所述充电设备安装在真空容器单元中，本发明装置没有降低处理设备的运行率的情况下有效地消除了真空容器单元中的微粒，且能够简单而廉价地实施。

公开(公告)号：CN104969365B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201380072345.1

申请日：2013-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐佐木博司

IPC: H01L33/10 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  H01S5/125 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18377

Abstract: 本发明抑制或防止在后续工序的清洗处理或蚀刻处理等中对DBR膜表面进行侵蚀(膜厚减少)、从DRB膜表面吸收水分、或者在DBR膜表面产生裂缝的问题。DBR膜(7D)的DBR膜构造将蒸镀SiO2膜和蒸镀TiO2膜重复形成1对或多对，本来为了得到高反射率而使最上层为蒸镀SiO2膜，但为了维持高反射率并且防止侵蚀，将最上层设为膜厚为1～13nm的高折射率膜(例如蒸镀TiO2膜)的薄膜，并且使用剥离工艺手法，通过蒸镀成膜将DBR端部设为锥形形状(坡形形状，这里锥形角度为15～45度)。在其上设置第1层的金属反射膜(8D)。

公开(公告)号：CN104969365A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201380072345.1

申请日：2013-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐佐木博司

IPC: H01L33/10 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  H01S5/125 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18377

Abstract: 本发明抑制或防止在后续工序的清洗处理或蚀刻处理等中对DBR膜表面进行侵蚀(膜厚减少)、从DRB膜表面吸收水分、或者在DBR膜表面产生裂缝的问题。DBR膜(7D)的DBR膜构造将蒸镀SiO2膜和蒸镀TiO2膜重复形成1对或多对，本来为了得到高反射率而使最上层为蒸镀SiO2膜，但为了维持高反射率并且防止侵蚀，将最上层设为膜厚为1～13nm的高折射率膜(例如蒸镀TiO2膜)的薄膜，并且使用剥离工艺手法，通过蒸镀成膜将DBR端部设为锥形形状(坡形形状，这里锥形角度为15～45度)。在其上设置第1层的金属反射膜(8D)。

公开(公告)号：CN1472774A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03178446.1

申请日：2003-07-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐佐木博司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B6/00 ,  C23C14/564 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/67028 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供一种用于处理设备的用于去除微粒的装置，所述处理设备包括真空容器单元，所述真空容器单元具有多个腔室，在所述腔室中在由处于大气压下的传送单元送入的晶片上执行预定处理，所述装置包括：电荷中和装置，用于中和在晶片表面上产生的电荷，所述电荷中和装置安装在等待－容纳单元中，所述等待－容纳单元组成传送单元的一部分；和充电装置，用于通过静电力吸收真空容器单元中的微粒，所述充电设备安装在真空容器单元中，本发明装置没有降低处理设备的运行率的情况下有效地消除了真空容器单元中的微粒，且能够简单而廉价地实施。