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公开(公告)号：CN102884644A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180022108.5
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02631 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件（100）的制造方法、氮化物半导体发光元件及发光装置。该制造方法包括：在基板（1）上形成至少含有铝、氮、氧的AlNO缓冲层（2）的工序、以及在AlNO缓冲层（2）上形成氮化物半导体层（3，4，5，6，7，8）的工序，在形成AlNO缓冲层（2）的工序中，在连续导入氮气和氧气并排放气体的环境气氛中通过将铝作为靶材（26）的反应溅射法而形成AlNO缓冲层（2），环境气氛为所述氧气流量相对所述氮气流量与所述氧气流量的总和之比为0.5%以下的环境气氛。
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公开(公告)号：CN1054704C
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN95108782.7
申请日：1995-08-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/30
Abstract: 本发明的发光二极管阵列包括：第一导电类型的半导体衬底和直线排列在衬底上的多个发光元件。每个发光元件包括：第一导电类型覆盖层；第二导电类型覆盖层；AlxGa1-x)yIn1-yP(这里0≤x≤1和0≤y≤1)激活层，它介于两覆盖层之间；以及第二导电类型电流扩散层，它淀积在第二导电类型覆盖层上。在发光二极管阵列中，在相邻两个发光元件之间，至少它们的第二导电类型电流扩散层和第二导电类型覆盖层是电绝缘的。
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公开(公告)号：CN102024887A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010282757.6
申请日：2010-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/35 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法，在利用以连续DC方式施加电压而进行的DC磁控溅射法来层积含有铝的氮化物中间层时，采用以下(1)～(3)中的至少一个条件。(1)把靶电极表面的中心与基板生长面之间的最短距离设定成100mm以上250mm以下。(2)使用氮气作为向DC磁控溅射装置供给的气体。(3)把靶电极相对基板的生长面倾斜配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1118111A
公开(公告)日：1996-03-06
申请号：CN95108782.7
申请日：1995-08-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/30
Abstract: 本发明的发光二极管阵列包括：第一导电类型的半导体衬底和直线排列在衬底上的多个发光元件。每个发光元件包括：第一导电类型覆盖层；第二导电类型覆盖层；AlxGa1-x)yIn1-yP(这里0≤x≤1和0≤y≤1)激活层，它介于两覆盖层之间；以及第二导电类型电流扩散层，它淀积在第二导电类型覆盖层上。在发光二极管阵列中，在相邻两个发光元件之间，至少它们的第二导电类型电流扩散层和第二导电类型覆盖层是电绝缘的。
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公开(公告)号：CN102024887B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201010282757.6
申请日：2010-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/35 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法，在利用以连续DC方式施加电压而进行的DC磁控溅射法来层积含有铝的氮化物中间层时，采用以下(1)～(3)中的至少一个条件。(1)把靶电极表面的中心与基板生长面之间的最短距离设定成100mm以上250mm以下。(2)使用氮气作为向DC磁控溅射装置供给的气体。(3)把靶电极相对基板的生长面倾斜配置。
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公开(公告)号：CN102884644B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180022108.5
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02631 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件（100）的制造方法、氮化物半导体发光元件及发光装置。该制造方法包括：在基板（1）上形成至少含有铝、氮、氧的AlNO缓冲层（2）的工序、以及在AlNO缓冲层（2）上形成氮化物半导体层（3，4，5，6，7，8）的工序，在形成AlNO缓冲层（2）的工序中，在连续导入氮气和氧气并排放气体的环境气氛中通过将铝作为靶材（26）的反应溅射法而形成AlNO缓冲层（2），环境气氛为所述氧气流量相对所述氮气流量与所述氧气流量的总和之比为0.5%以下的环境气氛。
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公开(公告)号：CN102339921B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110202946.2
申请日：2011-07-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。
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公开(公告)号：CN102339921A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110202946.2
申请日：2011-07-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。
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