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公开(公告)号：CN112352164A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980043486.8
申请日：2019-08-08
Applicant: 国立大学法人东北大学 , OHT株式会社
Abstract: 电容检测区域传感器将多个电容传感器元件配置成二维阵列状，呈任意的形状，并与外部电极电容耦合。向外部电极供电具有电位差的检查信号。针对所选择的与外部电极电容耦合的电容传感器元件，在上述检查信号的第一信号时和第二信号时的定时从上述电容传感器元件获取第一传感器输出信号、第二传感器输出信号。生成将所获取到的第一传感器输出信号、第二传感器输出信号取差分而得的差分信号，并基于差分信号的电平来生成以不同的颜色或者不同的灰度表示外部电极的形状的图像。
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公开(公告)号：CN112352164B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201980043486.8
申请日：2019-08-08
Applicant: 国立大学法人东北大学 , OHT株式会社
Abstract: 电容检测区域传感器将多个电容传感器元件配置成二维阵列状，呈任意的形状，并与外部电极电容耦合。向外部电极供电具有电位差的检查信号。针对所选择的与外部电极电容耦合的电容传感器元件，在上述检查信号的第一信号时和第二信号时的定时从上述电容传感器元件获取第一传感器输出信号、第二传感器输出信号。生成将所获取到的第一传感器输出信号、第二传感器输出信号取差分而得的差分信号，并基于差分信号的电平来生成以不同的颜色或者不同的灰度表示外部电极的形状的图像。
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公开(公告)号：CN113916266A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110766043.0
申请日：2021-07-07
Applicant: OHT株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 容量传感器具有传感器电极、第一电极极板、基板、第二电极极板。传感器电极输出与检测对象物之间的静电容量对应的信号。第一电极极板与传感器电极连接。基板具有基板表面部和阶部。在基板表面部安装有传感器电极和第一电极极板。阶部在相对于基板的基板表面部低的位置形成。第二电极极板安装于阶部，与外部配线连接。
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公开(公告)号：CN104114742A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280070032.8
申请日：2012-10-26
Applicant: 国立大学法人东北大学
Inventor： 后藤哲也
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3402 , H01J37/3405 , H01J37/345 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的磁控溅射装置具有：第1磁体列(33)，其呈螺旋状排列；第2磁体列(35)，其与第1磁体列(33)并列；固定磁体(38)，其配置于第1磁体列的周围和第2磁体列的周围；磁体旋转机构(30)，其使第1磁体列和第2磁体列(33、35)以旋转轴线(Ct)为中心旋转；以及多个磁感应构件(11)，从靶材(21)侧观察，在横截旋转轴线方向的方向上，其配置在第1磁体列的外周和第2磁体列(33、35)的外周与固定磁体(38)之间，并且沿旋转轴线方向排列，该多个磁感应构件(11)用于吸引自第1磁体列(33)出来的磁力线并将该出来的磁力线向靶材(21)侧引导，或者，吸引自靶材(21)侧进入的磁力线并将该进入的磁力线向第2磁体列(35)引导。
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公开(公告)号：CN101641458B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200880009416.2
申请日：2008-03-28
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 在旋转磁铁溅射装置中，为了减少因靶的消耗而引起靶表面发生变化，导致成膜率经时变化的情况，对靶的消耗变位量进行测定，根据测定结果，调整旋转磁铁组与靶之间的距离，从而长时间实现均匀的成膜率。作为测定靶的消耗变位量的机构，可以使用超声波传感器，也可以使用激光发送接收装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102084023B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980123383.9
申请日：2009-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3423
Abstract: 在该溅射方法中，将多个细长堆积区域配置成：使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域，并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心；将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘；设定多个细长区域中的每一个的宽度，使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域，以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域；与圆形区域重合地配置晶片；在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下，使溅射粒子从靶的表面射出；使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转，从而在晶片表面上堆积膜。
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公开(公告)号：CN102498231A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080033945.3
申请日：2010-07-16
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H05K3/16 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/352 , C23C14/568 , H05K3/381 , H05K3/388 , H05K2203/095 , H05K2203/1572
Abstract: 本发明的课题在于提供在布线基板的制造中采用溅射工艺，并且可以提高生产率以及降低运行成本的布线基板等离子体处理装置。本发明的布线基板等离子体处理装置在同一等离子体处理室内具备：表面处理部，其具备等离子体源，进行被处理基板的预处理；和多个溅射成膜部，其形成由多层膜形成的籽晶层。
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公开(公告)号：CN102084023A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980123383.9
申请日：2009-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3423
Abstract: 在该溅射方法中，将多个细长堆积区域配置成：使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域，并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列；将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成：使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心；将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成：使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘；设定多个细长区域中的每一个的宽度，使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径；将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域，以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域；与圆形区域重合地配置晶片；在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下，使溅射粒子从靶的表面射出；使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转，从而在晶片表面上堆积膜。
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公开(公告)号：CN101802967A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106539.8
申请日：2008-09-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
CPC classification number: H01J61/0675 , H01J9/022 , H01J61/72
Abstract: 本发明的课题是提供具有高亮度、高效率且长寿命的阴极体。在由含有氧化镧的热传导率高的金属合金形成的圆筒状杯体上，采用能够以低电子温度进行溅射的磁控溅射装置，形成LaB6膜，由此来制造本发明的阴极体。
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公开(公告)号：CN101120437B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680003184.0
申请日：2006-01-20
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/318 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L29/518 , Y10T428/265
Abstract: 一种电介质膜，通过使处于Si3≡N结合状态的N以3原子％以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上，并以0.1原子％以下的浓度存在于界面侧上，可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用Ar/N2游离基氮化的情况下，难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子％以上，在界面侧达到0.1原子％以下，但通过对Xe/N2、Kr/N2、Ar/NH3、Xe/NH3、Kr/NH3、Ar/N2/H2、Xe/N2/H2、Kr/N2/H2的任意一种气体进行组合使用，可以实现上述的N浓度分布。
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