太阳能电池
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110392936B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN201780088206.6

    申请日:2017-01-10

    Abstract: 本发明的课题之一在于提供一种太阳能电池,不受或实质上不易受UV光的照射历史记录的影响,不存在或实质上不存在使用寿命的劣化。一种将特定条件下的UV劣化防止层设置为层结构要素之一的太阳能电池。UV劣化防止层以使有助于半导体极性的半导体杂质在该UV劣化防止层的层厚方向上进行浓度分布并且在该UV劣化防止层的内部具有浓度分布的极大值(CDMax)的方式含有该半导体杂质,该UV劣化防止层的层厚(d1+d2)在2nm~60nm的范围内,极大值(CDMax)19 3在以下范围内,1×10 个/cm≤极大值(CDMax)≤4×1020个/cm3···式(1);极大值(CDMax)的半值(b1)的位置位于从UV劣化防止层的光入射侧的表面起的深度位置(A1)处,该深度位置(A1)在极大值(CDMax)的深度位置(A0)

    受光设备和受光设备的信号读出方法

    公开(公告)号:CN110679141B

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN201880035324.5

    申请日:2018-04-23

    Abstract: 提供兼顾实现了高饱和性能和高灵敏度性能的受光设备。具有受光像素,该受光像素具备:受光元件;第一电容元件(1),其蓄积通过该受光元件接收光而产生的光电荷;第二电容元件(2),该电容元件(1)中蓄积的光电荷的量的一部分被传输并蓄积到该第二电容元件(2);开关单元(S),其用于进行从所述电容元件(1)向所述电容元件(2)传输光电荷的光电荷传输动作的开启或关闭;复位用开关单元(R),其用于将所述电容元件(1)和所述电容元件(2)复位;像素选择用开关单元(X);以及源极跟随开关单元(SF),其中,所述电容元件(1)的有效饱和电容(1)是所述电容元件(2)的有效饱和电容(2)的10倍~5000倍。

    紫外光用固体受光器件
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106133924B

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201480077744.1

    申请日:2014-03-31

    Abstract: 提供一种能够以简单的构造来高精度且恰当地测量对人体有害的紫外光的照射量、还能够容易进行与周边电路的传感器的一体制作、小型/轻量且低成本、适于携带(mobile)或者穿戴(wearable)的紫外光用固体受光器件。具备第一光电二极管(1)和第二光电二极管(2)、以及被输入基于来自这些光电二极管(1、2)的输出的各个信号的差动电路,在上述光电二极管(1、2)内和设置在各光电二极管上的半导体层区域中,分别设置半导体杂质的最大浓度位置。

    模拟数字转换器和固体摄像装置

    公开(公告)号:CN104040897B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201280066587.5

    申请日:2012-12-14

    Inventor: 须川成利

    Abstract: 在按照多个阶段进行模拟数字转换时,在采用逐次比较方式的同时能够得到正确的数字数据。提供一种模拟数字转换器,其具有根据来自计数器(15)的计数信号产生斜坡电压的斜坡波形信号产生部(14)、信号转换部(13)以及控制部压的采样保持电路、根据电容值不同的规定数量的电容的连接组合而输出多个偏置电压的逐次比较电容群(16)以及将斜坡电压和偏置电压中的一方与信号电压进行比较的比较部(17),控制部(18)根据比较部(17)对偏置电压和信号电压的比较结果和比较部(17)对斜坡电压和信号电压的比较结果生成信号电压的数字信号,并且,根据电容的连接组合和斜坡电压取得逐次比较电容群(16)的校准用数据。(18),信号转换部(13)具有保持所输入的信号电

    紫外光用固体受光器件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106133924A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201480077744.1

    申请日:2014-03-31

    Abstract: 提供一种能够以简单的构造来高精度且恰当地测量对人体有害的紫外光的照射量、还能够容易进行与周边电路的传感器的一体制作、小型/轻量且低成本、适于携带(mobile)或者穿戴(wearable)的紫外光用固体受光器件。具备第一光电二极管(1)和第二光电二极管(2)、以及被输入基于来自这些光电二极管(2)的输出的各个信号的差动电路,在上述光电二极管(1、2)内和设置在各光电二极管上的半导体层区域中,分别设置半导体杂质的最大浓度位置。

    固体摄像装置及其工作方法、线传感器、光传感器

    公开(公告)号:CN100499146C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200580006067.5

    申请日:2005-02-25

    Inventor: 须川成利

    CPC classification number: H04N5/3559 H04N5/374 H04N5/37452

    Abstract: 为了提供在维持高灵敏度、高S/N比的同时能实现宽动态范围的固体摄像装置、线传感器、光传感器,和在维持高灵敏度、高S/N比的同时能实现宽动态范围的固体摄像装置的工作方法,采用以下的结构,把多个像素集成为阵列状,该像素包括:接收光,生成光电荷的光电二极管PD;转送光电荷的转送晶体管Tr1;至少经由转送晶体管Tr1与光电二极管PD连接而设置,并且在积蓄动作时将从光电二极管PD溢出的光电荷至少通过转送晶体管Tr1积蓄的积蓄电容元件CS。

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