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公开(公告)号：CN119954200A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411953182.4
申请日：2024-12-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法，属于半导体气体敏感型传感器技术领域。为了解决SnS2半导体气体传感器灵敏度低，电导率低和响应速率慢的技术问题，本发明气敏材料的制备：采用水热法合成SnS2敏感材料；采用二次水热法在SnS2纳米花状结构表面生长球形SnO2纳米颗粒，形成表面颗粒分布的二维花状结构材料；使用醋酸钌沉浸形式实现贵金属Ru对SnS2/SnO2材料的修饰，通过高温分解形成金属杂化修饰。本发明显著提高了气敏材料对H2S气体的灵敏度和响应恢复速率，特别是对H2S实现了超快响应。本发明制备的基于Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的气体传感器在H2S有毒气体监测方面具有广泛前景。
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公开(公告)号：CN109633197B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910078142.2
申请日：2019-01-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种双加热电极宽量程风速传感器及其制造方法，用于提高检测灵敏度和速率，属于风速传感器领域。本发明包括：加热器电极位于八边形衬底的中心，加热器电极由双加热器围成中心为方形盘绕式结构和四个引用电极组成，四个引用电极分别从方形盘绕式结构的四个角引出，且每个引用电极的宽度逐渐变宽；每个温度探测器电极为对称结构，包括扇形本体及该本体边缘引出并延伸至八边形衬底边缘的两个探测电极，四个温度探测器电极分布在加热器电极周围的八边形衬底上，加热器电极的每相邻两个引出电极之间设置一个温度探测器电极；在每个温度探测器电极与加热器电极之间的八边形衬底上设置一个热隔离槽。
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公开(公告)号：CN117069165A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311025031.8
申请日：2023-08-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种Pd修饰二维多孔NiO/ZnO气敏材料的制备方法及其制备CO气体传感器的方法，本发明属于半导体化学量传感器敏感电子学领域。本发明为了解决ZnO半导体气体传感器灵敏度低，响应速率慢和易受干扰的技术问题。气敏材料的制备：采用水热法合成ZnO敏感材料；采用二次水热法在ZnO纳米结构表面原位生长NiO纳米颗粒，形成表面颗粒分布的二维多孔NiO/ZnO材料；使用稀盐酸溶解氯化钯沉浸形式进行贵金属Pd对NiO/ZnO材料进行修饰，通过高温分解形成金属杂化修饰和阳离子浓度提高。本发明显著提高了气敏材料对CO气体的灵敏度和响应恢复速率，特别是对CO实现了超快响应。本发明制备的基于酸性条件下Pd修饰的NiO/ZnO材料制备的气体传感器在CO有毒气体监测方面具有广泛前景。
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公开(公告)号：CN116353133A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310077812.5
申请日：2023-02-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明主要涉及液压冲压领域，具体为一种高速开关数字阀控制板料冲压系统及其控制方法。其中包括两个液压缸，所述两个液压缸均分别由4个速开关数字阀控制；所述两个液压缸分别带动冲头对冲压板料做功和拨杆机构做功；所述拨杆组件具有自动限位功能，可带动冲压板料自动前进；所述两个液压缸之间由一个减压阀连接。本发明利用4个高速开关数字阀控制液压缸带动冲压模具完成冲压工作，并利用4个高速开关数字阀控制液压缸带动连杆机构来完成冲压板料的自动前进过程。拨杆组件内部具有限位功能，可以保证整个冲压板料在冲压过程中前进的顺利进行。该系统能够实现高效、快速的冲压过程，自动化程度高，并节约资源。
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公开(公告)号：CN114835483B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210355886.6
申请日：2022-04-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/26 , H01F1/01 , C04B35/622
Abstract: 一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及无铅铁电陶瓷材料领域，具体涉及一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的化学组成为yBi1.05Fe0.995Mn0.005O3‑(1‑y)Sr1‑x(Na0.5Me0.5)xTiO3。本发明以BiFeO3‑SrTiO3为基体材料，采用普通原料和两步烧结方法，获得成分均匀结构可控的致密陶瓷。本发明的铁酸铋基储能陶瓷材料，在电场强度E 85％。其制备方法简单，工艺稳定，成本低廉，满足环保要求。本发明制备铁酸铋基陶瓷材料用于高能量密度和高功率输出的电子设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110048694B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201910325291.4
申请日：2019-04-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H03H21/00
Abstract: 基于变元步长的随机傅里叶特征核最小均方算法，属于核自适应滤波器优化领域，本发明为解决现有核自适应滤波系统中性能最好的基于随机傅里叶特征的核最小均方算法采用固定步长的方法，算法的收敛速度收到限制的问题。本发明具体过程为：计算核自适应滤波器的输出，计算误差；将第n次迭代的权值向量更新为第n+1次迭代的权值向量；将第n次迭代的步长更新为第n+1次迭代的步长；判断第n+1次迭代的步长的值与预先设定的步长取值范围的最小值和最大值的大小，将第n次迭代的元步长更新为第n+1次迭代的元步长，获取第n+1次迭代的核自适应滤波器的输出。本发明用于核自适应滤波系统。
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公开(公告)号：CN109088749B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810812837.4
申请日：2018-07-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种随机通讯协议下复杂网络的状态估计方法，它用于控制系统的网络状态估计技术领域。本发明解决了现有的状态估计方法不能够同时处理具有随机内耦合以及测量丢失现象的复杂网络的状态估计的问题。本发明同时考虑了具有未知概率的测量丢失现象以及随机内耦合对状态估计性能的影响，利用扩展卡尔曼滤波方法全面考虑了估计误差协方差矩阵的有效信息，达到了抗扰动的目的；与现有的通讯协议下复杂网络状态估计方法相比，本发明的方法可以将估计误差控制在极小的范围内，在易于求解的同时，可以将估计的精确度提高10％以上。本发明可以应用于网络状态估计技术领域用。
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公开(公告)号：CN104482964A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410779711.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器，适用于风速和风向测量领域。本发明的目的是要解决现有的风速风向传感器受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器其特征在于：主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体，氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高精度；悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费；MEMS技术的应用，可使本传感器体积变小、成本降低。
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公开(公告)号：CN101762623B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010300140.2
申请日：2010-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法，涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽，基片背面设置有加热电极和信号电极，通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通，加热电极为蛇形排列结构，敏感膜附在信号电极上，制造方法如下：一选择基片；二传感器Pt金属薄膜信号电极制备：首先光刻，其次镀膜，最后金属膜剥离；三异面加热电极制备：首先镀膜，然后激光刻蚀；四热隔离；五退火；六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。
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公开(公告)号：CN101777884B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910312591.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H03H9/25
Abstract: 叠片式微电子机械系统压电振子的制造方法，它涉及一种微电子机械系统压电振子的制造方法。它解决了现有的微电子机械系统压电振子无法解决其微驱动组装的多层片式结构和优化、以及无法满足微电子机械系统集成化、小型化要求的问题。它的步骤是：步骤一、对铍青铜基片进行热处理；步骤二、在陶瓷片的上下表面溅射铜膜并进行热处理；步骤三、对步骤二处理后的陶瓷片做极化处理；步骤四、将步骤三处理后的陶瓷片陈化放置后采用超声波清洗；步骤五、将清洗后的压电陶瓷片按照一定的结构设计固定在铍青铜基片的上、下表面上。本发明适用于主动振动控制、强振隔离体、航空航天、机器人、动力机械等多领域的驱动场合。
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