公开(公告)号：CN117069165B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311025031.8

申请日：2023-08-15

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 赵文杰 ,  李涵 ,  徐丹 ,  闫瑞田 ,  余涛林 ,  全卫东

IPC: C01G53/04 ,  G01N27/00 ,  C01G9/02

Abstract: 一种Pd修饰二维多孔NiO/ZnO气敏材料的制备方法及其制备CO气体传感器的方法，本发明属于半导体化学量传感器敏感电子学领域。本发明为了解决ZnO半导体气体传感器灵敏度低，响应速率慢和易受干扰的技术问题。气敏材料的制备：采用水热法合成ZnO敏感材料；采用二次水热法在ZnO纳米结构表面原位生长NiO纳米颗粒，形成表面颗粒分布的二维多孔NiO/ZnO材料；使用稀盐酸溶解氯化钯沉浸形式进行贵金属Pd对NiO/ZnO材料进行修饰，通过高温分解形成金属杂化修饰和阳离子浓度提高。本发明显著提高了气敏材料对CO气体的灵敏度和响应恢复速率，特别是对CO实现了超快响应。本发明制备的基于酸性条件下Pd修饰的NiO/ZnO材料制备的气体传感器在CO有毒气体监测方面具有广泛前景。

公开(公告)号：CN119952066A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411953184.3

申请日：2024-12-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 赵文杰 ,  段晓阳 ,  徐丹 ,  闫瑞田 ,  全卫东 ,  崔维萍 ,  尹磊

IPC: B22F9/24 ,  G01N33/00 ,  C01G41/00 ,  C01G19/00 ,  B82Y30/00 ,  B22F1/12 ,  B22F1/054 ,  B82Y40/00 ,  B01J27/049 ,  B01J35/45 ,  B01J35/50

Abstract: 一种Rh‑SnS/WS2花状异质结纳米材料的制备方法与应用，属于气体传感领域，Rh‑SnS/WS2花状异质结纳米材料以四氯化锡、钨酸钠、十二烷基苯磺酸钠、硫脲和草酸为原料通过一步水热法制得，最终通过浸渍法实现贵金属Rh均匀修饰的SnS/WS2花状异质结纳米材料。结构表明该材料呈现二维片状自组装纳米花状结构，本发明制备工艺简单，无需高温繁琐步骤，制得的Rh‑SnS/WS2花状异质结纳米材料对于二氧化氮气体具有快速的响应与恢复特性，有效解决了传统WS2稳定性差及响应恢复时间缓慢的问题，具有选择性专一和低温检测特点。

公开(公告)号：CN116818847A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310746155.9

申请日：2023-06-21

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  段晓阳 ,  赵文杰 ,  贾文君 ,  闫瑞田 ,  全卫东

IPC: G01N27/12

Abstract: 一种Pt‑WS2@BP纳米花复合材料及其制备方法和应用，本发明为了解决目前气体传感领域选择性差，工作温度高的技术问题。本发明涉及半导体气体传感领域。该材料首先采用一步水热法，原料包括钨酸钠、硫脲和草酸，合成WS2三维花状纳米球，然后与BP纳米片混合，并加入氯铂酸进行超声均匀混合，真空干燥得到贵金属Pt负载的WS2@BP纳米复合材料，其中WS2三维花状纳米球微观形貌呈现片状纳米花结构，BP纳米片呈现纳米片层结构。本发明制备工艺简单，制得的Pt‑WS2@BP纳米花复合材料，在低温下对二氧化氮气体具有良好的响应和恢复特性以及优异的选择性。本发明制备的复合材料用于半导体气体传感领域。

公开(公告)号：CN119954200A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411953182.4

申请日：2024-12-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 赵文杰 ,  闫瑞田 ,  全卫东 ,  徐丹 ,  段晓阳 ,  崔维萍 ,  肖扬

IPC: C01G19/02 ,  C01G19/00 ,  B22F1/18 ,  B22F1/06 ,  G01N27/12

Abstract: 一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法，属于半导体气体敏感型传感器技术领域。为了解决SnS2半导体气体传感器灵敏度低，电导率低和响应速率慢的技术问题，本发明气敏材料的制备：采用水热法合成SnS2敏感材料；采用二次水热法在SnS2纳米花状结构表面生长球形SnO2纳米颗粒，形成表面颗粒分布的二维花状结构材料；使用醋酸钌沉浸形式实现贵金属Ru对SnS2/SnO2材料的修饰，通过高温分解形成金属杂化修饰。本发明显著提高了气敏材料对H2S气体的灵敏度和响应恢复速率，特别是对H2S实现了超快响应。本发明制备的基于Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的气体传感器在H2S有毒气体监测方面具有广泛前景。

公开(公告)号：CN117069165A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311025031.8

申请日：2023-08-15

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 赵文杰 ,  李涵 ,  徐丹 ,  闫瑞田 ,  余涛林 ,  全卫东

IPC: C01G53/04 ,  G01N27/00 ,  C01G9/02

Abstract: 一种Pd修饰二维多孔NiO/ZnO气敏材料的制备方法及其制备CO气体传感器的方法，本发明属于半导体化学量传感器敏感电子学领域。本发明为了解决ZnO半导体气体传感器灵敏度低，响应速率慢和易受干扰的技术问题。气敏材料的制备：采用水热法合成ZnO敏感材料；采用二次水热法在ZnO纳米结构表面原位生长NiO纳米颗粒，形成表面颗粒分布的二维多孔NiO/ZnO材料；使用稀盐酸溶解氯化钯沉浸形式进行贵金属Pd对NiO/ZnO材料进行修饰，通过高温分解形成金属杂化修饰和阳离子浓度提高。本发明显著提高了气敏材料对CO气体的灵敏度和响应恢复速率，特别是对CO实现了超快响应。本发明制备的基于酸性条件下Pd修饰的NiO/ZnO材料制备的气体传感器在CO有毒气体监测方面具有广泛前景。