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公开(公告)号:CN119952066A
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202411953184.3
申请日:2024-12-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B22F9/24 , G01N33/00 , C01G41/00 , C01G19/00 , B82Y30/00 , B22F1/12 , B22F1/054 , B82Y40/00 , B01J27/049 , B01J35/45 , B01J35/50
Abstract: 一种Rh‑SnS/WS2花状异质结纳米材料的制备方法与应用,属于气体传感领域,Rh‑SnS/WS2花状异质结纳米材料以四氯化锡、钨酸钠、十二烷基苯磺酸钠、硫脲和草酸为原料通过一步水热法制得,最终通过浸渍法实现贵金属Rh均匀修饰的SnS/WS2花状异质结纳米材料。结构表明该材料呈现二维片状自组装纳米花状结构,本发明制备工艺简单,无需高温繁琐步骤,制得的Rh‑SnS/WS2花状异质结纳米材料对于二氧化氮气体具有快速的响应与恢复特性,有效解决了传统WS2稳定性差及响应恢复时间缓慢的问题,具有选择性专一和低温检测特点。