公开(公告)号：CN119954200A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411953182.4

申请日：2024-12-27

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 赵文杰 ,  闫瑞田 ,  全卫东 ,  徐丹 ,  段晓阳 ,  崔维萍 ,  肖扬

IPC: C01G19/02 ,  C01G19/00 ,  B22F1/18 ,  B22F1/06 ,  G01N27/12

Abstract: 一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法，属于半导体气体敏感型传感器技术领域。为了解决SnS2半导体气体传感器灵敏度低，电导率低和响应速率慢的技术问题，本发明气敏材料的制备：采用水热法合成SnS2敏感材料；采用二次水热法在SnS2纳米花状结构表面生长球形SnO2纳米颗粒，形成表面颗粒分布的二维花状结构材料；使用醋酸钌沉浸形式实现贵金属Ru对SnS2/SnO2材料的修饰，通过高温分解形成金属杂化修饰。本发明显著提高了气敏材料对H2S气体的灵敏度和响应恢复速率，特别是对H2S实现了超快响应。本发明制备的基于Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的气体传感器在H2S有毒气体监测方面具有广泛前景。