公开(公告)号：CN116818847A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310746155.9

申请日：2023-06-21

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  段晓阳 ,  赵文杰 ,  贾文君 ,  闫瑞田 ,  全卫东

IPC: G01N27/12

Abstract: 一种Pt‑WS2@BP纳米花复合材料及其制备方法和应用，本发明为了解决目前气体传感领域选择性差，工作温度高的技术问题。本发明涉及半导体气体传感领域。该材料首先采用一步水热法，原料包括钨酸钠、硫脲和草酸，合成WS2三维花状纳米球，然后与BP纳米片混合，并加入氯铂酸进行超声均匀混合，真空干燥得到贵金属Pt负载的WS2@BP纳米复合材料，其中WS2三维花状纳米球微观形貌呈现片状纳米花结构，BP纳米片呈现纳米片层结构。本发明制备工艺简单，制得的Pt‑WS2@BP纳米花复合材料，在低温下对二氧化氮气体具有良好的响应和恢复特性以及优异的选择性。本发明制备的复合材料用于半导体气体传感领域。

公开(公告)号：CN116813330B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202310835981.0

申请日：2023-07-07

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  周新沅 ,  赵文杰 ,  赵宏 ,  段晓阳 ,  贾文君

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法，本发明属于无铅介电陶瓷材料领域，具体涉及一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有无铅储能陶瓷材料介电损耗高、储能转换效率低的技术问题。本发明陶瓷材料化学式为(1‑x)Ba0.94Me0.04TiO3‑xBi1.05(Ni2/3Ta1/3)O3，其中Me为Ce4+、La3+、Nd3+或Sm3+，其中x表示摩尔分数，0.05≤x≤0.35。本发明制备的陶瓷材料获得了非常低的介电损耗tanδ 95％。所制备的钛酸钡基材料可应用于电介质储能领域。

公开(公告)号：CN116813330A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310835981.0

申请日：2023-07-07

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  周新沅 ,  赵文杰 ,  赵宏 ,  段晓阳 ,  贾文君

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法，本发明属于无铅介电陶瓷材料领域，具体涉及一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有无铅储能陶瓷材料介电损耗高、储能转换效率低的技术问题。本发明陶瓷材料化学式为(1‑x)Ba0.94Me0.04TiO3‑xBi1.05(Ni2/3Ta1/3)O3，其中Me为Ce4+、La3+、Nd3+或Sm3+，其中x表示摩尔分数，0.05≤x≤0.35。本发明制备的陶瓷材料获得了非常低的介电损耗tanδ 95％。所制备的钛酸钡基材料可应用于电介质储能领域。