公开(公告)号：CN116813330B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202310835981.0

申请日：2023-07-07

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  周新沅 ,  赵文杰 ,  赵宏 ,  段晓阳 ,  贾文君

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法，本发明属于无铅介电陶瓷材料领域，具体涉及一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有无铅储能陶瓷材料介电损耗高、储能转换效率低的技术问题。本发明陶瓷材料化学式为(1‑x)Ba0.94Me0.04TiO3‑xBi1.05(Ni2/3Ta1/3)O3，其中Me为Ce4+、La3+、Nd3+或Sm3+，其中x表示摩尔分数，0.05≤x≤0.35。本发明制备的陶瓷材料获得了非常低的介电损耗tanδ 95％。所制备的钛酸钡基材料可应用于电介质储能领域。

公开(公告)号：CN116813330A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310835981.0

申请日：2023-07-07

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  周新沅 ,  赵文杰 ,  赵宏 ,  段晓阳 ,  贾文君

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法，本发明属于无铅介电陶瓷材料领域，具体涉及一种基于A位缺陷的低损耗高能量转换效率的钛酸钡基无铅储能陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有无铅储能陶瓷材料介电损耗高、储能转换效率低的技术问题。本发明陶瓷材料化学式为(1‑x)Ba0.94Me0.04TiO3‑xBi1.05(Ni2/3Ta1/3)O3，其中Me为Ce4+、La3+、Nd3+或Sm3+，其中x表示摩尔分数，0.05≤x≤0.35。本发明制备的陶瓷材料获得了非常低的介电损耗tanδ 95％。所制备的钛酸钡基材料可应用于电介质储能领域。

公开(公告)号：CN114835483A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210355886.6

申请日：2022-04-06

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  余涛林 ,  赵文杰 ,  赵宏 ,  段晓阳

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/26 ,  H01F1/01 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及无铅铁电陶瓷材料领域，具体涉及一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的化学组成为yBi1.05Fe0.995Mn0.005O3‑(1‑y)Sr1‑x(Na0.5Me0.5)xTiO3。本发明以BiFeO3‑SrTiO3为基体材料，采用普通原料和两步烧结方法，获得成分均匀结构可控的致密陶瓷。本发明的铁酸铋基储能陶瓷材料，在电场强度E 85％。其制备方法简单，工艺稳定，成本低廉，满足环保要求。本发明制备铁酸铋基陶瓷材料用于高能量密度和高功率输出的电子设备中。

公开(公告)号：CN114835483B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210355886.6

申请日：2022-04-06

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 徐丹 ,  余涛林 ,  赵文杰 ,  赵宏 ,  段晓阳

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/26 ,  H01F1/01 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及无铅铁电陶瓷材料领域，具体涉及一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的化学组成为yBi1.05Fe0.995Mn0.005O3‑(1‑y)Sr1‑x(Na0.5Me0.5)xTiO3。本发明以BiFeO3‑SrTiO3为基体材料，采用普通原料和两步烧结方法，获得成分均匀结构可控的致密陶瓷。本发明的铁酸铋基储能陶瓷材料，在电场强度E 85％。其制备方法简单，工艺稳定，成本低廉，满足环保要求。本发明制备铁酸铋基陶瓷材料用于高能量密度和高功率输出的电子设备中。