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公开(公告)号：CN108516871B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810365522.X
申请日：2018-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种多孔氮化硅陶瓷表面金属化方法，包括金属化粉末制备、基材的选用与处理、金属化粉末的涂覆与控制、表面金属化处理等步骤，其中本发明的金属化粉末选用粒径为20 nm~80 nm的纳米Si3N4颗粒、10μm~100μm Si粉、10μm~100μm Ti粉，其中Si3N4的质量百分比为1~10 wt.%，Si粉的质量百分比为1~10 wt.%，余量为Ti粉。本发明的技术方案实现了多孔氮化硅陶瓷表面的改性，可在多孔氮化硅陶瓷的表面获得一层均匀、致密且与陶瓷基体之间连接过度良好的活性金属涂层，缓和了陶瓷基体与金属涂层之间的应力。金属化涂层的形成提高了多孔氮化硅陶瓷表面的耐磨性，降低了其吸水性，并显著提高了钎焊过程中钎料在多孔陶瓷表面的铺展性和润湿性。
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公开(公告)号：CN106222655A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610864749.X
申请日：2016-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
CPC classification number: C23C24/103 , C22C45/04
Abstract: 本发明公开了一种非晶合金覆层的制备方法，由以下步骤组成：配置合金粉末、基材预处理、涂层、激光熔覆；首先按照原子摩尔比分别为钴34％、铬29％、铁8％、镍8％、硅7％、硼14％进行合金粉末的配置；再对H13钢基材进行表面处理以及烘干处理，将配置好的合金粉末一并烘干；然后将合金粉末预置在H13钢基材表面；在氩气保护罩中使用脉冲激光器对预置基体进行熔覆。本发明方法制备的合金覆层上部含有85％左右的非晶相，并且能够实现覆层与基体的良好冶金结合，还具有较强的显微硬度及耐磨性，热稳定性也较好；此外，本发明方法可以大幅度降低非晶合金覆层的生产成本，符合我国的可持续发展战略要求，具有重大的生产意义。
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公开(公告)号：CN106007773B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610347362.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明公开了一种多孔氮化硅陶瓷与TiAl基合金的真空钎焊方法，步骤一、将质量分数为1.5~3wt.%的纳米氮化硅颗粒、质量分数为2~4wt.%的Ti粉与AgCu粉末进行机械球磨4~6h，提到复合钎料；步骤二、将球磨后的复合钎料与预处理后的TiAl基合金和多孔氮化硅母材进行装配，保持钎料粉厚度在50~200μm之间；步骤三、将装配好的钎焊接头放入真空炉中，在真空环境下加热至840℃~900℃，保温5min~30min，即实现多孔陶瓷与合金基体之间高强度的有效连接，本发明技术方案能够有效解决多孔陶瓷与TiAl基合金的连接问题，获得力学性能优良的钎焊接头。
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公开(公告)号：CN105921839B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610393351.2
申请日：2016-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: B23K1/06 , B23K1/20 , B23K103/18
Abstract: 本发明涉及一种可伐合金与陶瓷材料超声钎焊方法，其包括以下几个步骤：将待焊的可伐合金与陶瓷材料放入丙酮中超声清洗5~10min；将可伐合金、陶瓷材料和钎料装配成陶瓷/钎料/可伐合金三层结构；放置到加热台上，进行加热加压，其中加热温度为830~980℃，压力为0.2~1MPa，当钎料熔化后启动超声振动，其中振动频率为10~110kHz，振幅为1~10μm；加热时间持续20~90s后停止加热，待接头钎缝层完全凝固后停止加压与超声振动，得到伐合金/陶瓷钎焊接头。本发明在非真空不采用钎剂的条件下，实现了可伐合金与陶瓷材料的钎焊连接，同时使接头组织得到细化，接头残余应力水平低，并有较好的密封性能。
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公开(公告)号：CN105728928B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201610093255.6
申请日：2016-02-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: B23K20/00 , B23K20/24 , B23K20/227
Abstract: 本发明涉及一种纳米Co中间层固相扩散连接硬质合金的方法，将硬质合金试样的待焊面用砂纸打磨抛光，丙酮液中进行超声清洗；将纳米Co用无水乙醇混成糊状，涂置在硬质合金待焊的表面上，装配成硬质合金/纳米Co/硬质合金的装配件；将装配件放置在真空加热炉中，施加10MPa~20MPa的压力，当真空加热炉真空度达到(1.5~2.0)×10‑3Pa时，开始进行加热，控制炉中升温速率为10℃/min~20℃/min，升温至1100℃~1300℃，然后保温20min~40min，再控制冷却速度5℃/min~10℃/min，冷却至400℃，然后随炉冷却即可。本发明工艺简单，成本低，操作简单，效率高，可实现硬质合金可靠连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106944695A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710256884.0
申请日：2017-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种多孔陶瓷与金属的钎焊方法，将化学成分包括但不限于氧化钇粉末、氧化硅粉末、氧化铝粉末和纳米α‑Si3N4颗粒的致密化涂料均匀喷涂到多孔陶瓷待焊面上，在保护气氛下中加热至1400 ℃~1600 ℃，保温30 min~90 min，使喷涂过的表面形成致密化涂层，之后再使用相应钎料进行真空钎焊即可实现金属与多孔陶瓷之间更好的连接。本发明的目的是提供一种能够实现多孔陶瓷与金属之间更有效的高强度连接的真空钎焊方法，并且得到的多孔陶瓷与金属的钎焊接头力学性能优良，能够满足实际应用的需要。
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公开(公告)号：CN106312220A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610888270.X
申请日：2016-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/206 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K2103/52 , C04B37/026
Abstract: 本发明公开了一种功率模块用陶瓷基板覆铜的低温连接方法，包括如下步骤：第一步，对陶瓷基片和无氧铜进行表面处理，然后用丙酮清洗；第二步，将Ag粉、Cu粉、Sn粉、Ti粉或Ag粉、Cu粉、In粉、Ti粉混合形成金属粉末，向所述金属粉末中加入有机黏结剂放入球磨罐中进行机械球磨制得活性钎料膏；第三步，按照无氧铜/活性钎料/陶瓷基板的顺序自上而下装配试样，在真空钎焊炉中实现连接。本发明采用向活性钎料中添加低熔点元素的方式，降低了陶瓷基板与无氧铜的连接温度，减小了基板中的残余应力，提高了使用寿命。
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公开(公告)号：CN106944695B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710256884.0
申请日：2017-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种多孔陶瓷与金属的钎焊方法，将化学成分包括但不限于氧化钇粉末、氧化硅粉末、氧化铝粉末和纳米α‑Si3N4颗粒的致密化涂料均匀喷涂到多孔陶瓷待焊面上，在保护气氛下中加热至1400 ℃~1600 ℃，保温30 min~90 min，使喷涂过的表面形成致密化涂层，之后再使用相应钎料进行真空钎焊即可实现金属与多孔陶瓷之间更好的连接。本发明的目的是提供一种能够实现多孔陶瓷与金属之间更有效的高强度连接的真空钎焊方法，并且得到的多孔陶瓷与金属的钎焊接头力学性能优良，能够满足实际应用的需要。
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公开(公告)号：CN105925948B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610330200.2
申请日：2016-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 上海航天精密机械研究所
Abstract: 本发明提供了一种铝合金表面活化连接方法，即：首先对铝合金表面进行预处理去除氧化膜及杂质，然后利用磁控溅射技术活化铝合金表面并沉积中间层，在真空或惰性气体保护状态下，将铝合金试样装配加热到连接温度并保温一定时间，利用中间层与铝合金发生共晶反应生成共晶液相达到铝合金的连接，随后共晶液相等温凝固，获得组织性能良好的铝合金连接接头，本发明结合磁控溅射技术与瞬时液相扩散连接，实现了铝合金表面活化、有效去除了铝合金表面氧化膜并阻碍新的氧化膜形成，消除了氧化膜对铝合金连接的不利影响，依靠共晶液相的产生达到铝合金的冶金结合，最终获得组织、性能良好的铝合金连接接头。
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公开(公告)号：CN108516871A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810365522.X
申请日：2018-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: C04B41/88
CPC classification number: C04B41/88 , C04B41/009 , C04B41/5133 , C04B35/584 , C04B38/00 , C04B41/5066 , C04B41/5096 , C04B41/4517 , C04B41/4523
Abstract: 本发明公开了一种多孔氮化硅陶瓷表面金属化方法，包括金属化粉末制备、基材的选用与处理、金属化粉末的涂覆与控制、表面金属化处理等步骤，其中本发明的金属化粉末选用粒径为20 nm~80 nm的纳米Si3N4颗粒、10μm~100μm Si粉、10μm~100μm Ti粉，其中Si3N4的质量百分比为1~10 wt.%，Si粉的质量百分比为1~10 wt.%，余量为Ti粉。本发明的技术方案实现了多孔氮化硅陶瓷表面的改性，可在多孔氮化硅陶瓷的表面获得一层均匀、致密且与陶瓷基体之间连接过度良好的活性金属涂层，缓和了陶瓷基体与金属涂层之间的应力。金属化涂层的形成提高了多孔氮化硅陶瓷表面的耐磨性，降低了其吸水性，并显著提高了钎焊过程中钎料在多孔陶瓷表面的铺展性和润湿性。
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