公开(公告)号：CN108516871A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810365522.X

申请日：2018-04-23

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 宋晓国 ,  赵一璇 ,  胡宇 ,  许国敬 ,  胡胜鹏 ,  牛红伟 ,  付伟

IPC: C04B41/88

CPC classification number: C04B41/88 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5133 ,  C04B35/584 ,  C04B38/00 ,  C04B41/5066 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/4517 ,  C04B41/4523

Abstract: 本发明公开了一种多孔氮化硅陶瓷表面金属化方法，包括金属化粉末制备、基材的选用与处理、金属化粉末的涂覆与控制、表面金属化处理等步骤，其中本发明的金属化粉末选用粒径为20 nm~80 nm的纳米Si3N4颗粒、10μm~100μm Si粉、10μm~100μm Ti粉，其中Si3N4的质量百分比为1~10 wt.%，Si粉的质量百分比为1~10 wt.%，余量为Ti粉。本发明的技术方案实现了多孔氮化硅陶瓷表面的改性，可在多孔氮化硅陶瓷的表面获得一层均匀、致密且与陶瓷基体之间连接过度良好的活性金属涂层，缓和了陶瓷基体与金属涂层之间的应力。金属化涂层的形成提高了多孔氮化硅陶瓷表面的耐磨性，降低了其吸水性，并显著提高了钎焊过程中钎料在多孔陶瓷表面的铺展性和润湿性。

公开(公告)号：CN108516871B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201810365522.X

申请日：2018-04-23

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 宋晓国 ,  赵一璇 ,  胡宇 ,  许国敬 ,  胡胜鹏 ,  牛红伟 ,  付伟

IPC: C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种多孔氮化硅陶瓷表面金属化方法，包括金属化粉末制备、基材的选用与处理、金属化粉末的涂覆与控制、表面金属化处理等步骤，其中本发明的金属化粉末选用粒径为20 nm~80 nm的纳米Si3N4颗粒、10μm~100μm Si粉、10μm~100μm Ti粉，其中Si3N4的质量百分比为1~10 wt.%，Si粉的质量百分比为1~10 wt.%，余量为Ti粉。本发明的技术方案实现了多孔氮化硅陶瓷表面的改性，可在多孔氮化硅陶瓷的表面获得一层均匀、致密且与陶瓷基体之间连接过度良好的活性金属涂层，缓和了陶瓷基体与金属涂层之间的应力。金属化涂层的形成提高了多孔氮化硅陶瓷表面的耐磨性，降低了其吸水性，并显著提高了钎焊过程中钎料在多孔陶瓷表面的铺展性和润湿性。