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公开(公告)号：CN115287597B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210925974.5
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京航天长征飞行器研究所
IPC: C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/20 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/26 , C23C14/30
Abstract: 一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，它涉及一种薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有红外调控技术方面存在红外发射率调节幅度不高，改变物质显示出的温度特定不明显和成本高的问题。方法：一、基底的表面处理；二、膜层沉积前处理；三、高反射层材料的选择；四、介质层材料的选择；五、红外辐射层材料的选择；六、保护层材料的选择；七、沉积膜层，得到红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜。本发明制备的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜能够在低温下使用，薄膜红外波段发射率选择性能力基本与初始状态相同，该技术是一种低成本、安全、简单的薄膜制备技术。
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公开(公告)号：CN115287597A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210925974.5
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京航天长征飞行器研究所
IPC: C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/20 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/26 , C23C14/30
Abstract: 一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，它涉及一种薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有红外调控技术方面存在红外发射率调节幅度不高，改变物质显示出的温度特定不明显和成本高的问题。方法：一、基底的表面处理；二、膜层沉积前处理；三、高反射层材料的选择；四、介质层材料的选择；五、红外辐射层材料的选择；六、保护层材料的选择；七、沉积膜层，得到红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜。本发明制备的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜能够在低温下使用，薄膜红外波段发射率选择性能力基本与初始状态相同，该技术是一种低成本、安全、简单的薄膜制备技术。
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公开(公告)号：CN115287617A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210940453.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京航天长征飞行器研究所
IPC: C23C14/35 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/16 , C23C14/20 , C22C19/05
Abstract: 一种具有红外长波选择发射特性的复合薄膜的制备方法，它涉及一种复合薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有材料发射率变化小、易受环境温度影响、难以连续制造和沉积速度缓慢的问题。方法：一、离子束轰击；二、膜层沉积，得到具有红外长波选择发射特性的复合薄膜。本发明制备的一种具有红外长波选择发射特性的复合薄膜能在高温下使用，薄膜红外波段发射率选择性能力基本与初始状态相同，该技术是一种低成本、安全、简单的薄膜制备技术；且在高温下光学性能不变，提高了器件的使用寿命，同时还降低了成本。
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公开(公告)号：CN118482497A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410559353.9
申请日：2024-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本申请提供一种分层辐射制冷材料及构建方法，属于辐射制冷领域，分层辐射制冷材料包括从上到下依次为：超疏水自清洁层、反射层、隔热层和发射层。构建方法为构筑从上到下依次为如下结构的辐射制冷材料：超疏水自清洁层、反射层、隔热层和发射层；具体为：将辐射制冷材料的反射功能和发射功能在空间上相分离，区分为反射层和发射层，其反射层位于发射层的上方，中间为隔热层。本发明最主要的效果就是可以大幅度的提升辐射制冷材料的制冷能力。
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公开(公告)号：CN114719464B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210490790.0
申请日：2022-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种虹彩色辐射制冷器件的制备方法，它涉及一种辐射制冷器件的制备方法。本发明的目的是要解决目前很多微结构辐射制冷器件研究还多数处于模拟阶段，冷却功率低，不具有应用性的问题。方法：一、清洗基底；二、构筑银微球自组装的单层掩膜结构；三、刻蚀；四、在石英基底没有微结构的一面蒸镀银膜，得到虹彩色辐射制冷器件。本发明使用原料主要为石英、银；原料丰富易得，并且制备的材料光谱调控范围广，制冷效果明显且具有彩色特性；这些都有益于所设计的辐射制冷器件的推广应用。本发明可获得一种虹彩色辐射制冷器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117903720A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410074528.7
申请日：2024-01-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09J101/28 , C09J11/04 , C09D101/28 , C09D7/62 , H05K9/00
Abstract: 一种热驱动电磁屏蔽液体胶的制备方法，它属于电磁污染智能材料领域。本发明要解决现有智能电磁屏蔽材料无法同时解决成本高、设计复杂、调谐性能有限、响应速度慢、响应源单一及无法实现关/开切换的问题。制备方法：一、VO2颗粒的制备；二、VO2液体胶制备。本发明用于热驱动电磁屏蔽液体胶的制备。
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公开(公告)号：CN117498037A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311472187.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q15/00 , H01Q17/00 , G02F1/00 , G02F1/01 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C14/14
Abstract: 一种可见‑微波多谱段电磁波动态调控器件及其制备方法，它涉及电磁波动态调控器件及其制备方法。本发明要解决现有VO2电磁波动态调控器件无法实现对宽波段、多频谱电磁波的动态调控问题。器件自下而上依次由基底、第一VO2层、第一中间介质层、选择反射层、第二VO2层、第二中间介质层和第三VO2层。制备方法：在基底上依次沉积第一VO2层、第一中间介质层、选择反射层、第二VO2层、第二中间介质层和第三VO2层。本发明用于可见‑微波多谱段电磁波动态调控器件及其制。
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公开(公告)号：CN112764286B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110132889.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1523 , G02F1/1516 , G02F1/1506 , G02F1/01 , G02F1/00
Abstract: 一种智能调控红外发射率的热控器件及其制备方法，它涉及一种热控器件及其制备方法。本发明的目的是要解决现有智能热控器件只适用于航天器的非照射环境，在太阳照射时热控器件在0.3～2.5μm吸收率很高，导致热控调节失效的问题。一种智能调控红外发射率的热控器件包括基底、电致变色器件或热致变色器件和功能膜层；所述的基底上由下至上依次为电致变色器件或热致变色器件和功能膜层。方法：一、基底材料的表面处理；二、在基底材料表面依次沉积电致变色器件或热致变色器件；三、交替沉积氟化物与ZnS或氟化物与ZnSe。本发明可获得一种智能调控红外发射率的热控器件。
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公开(公告)号：CN115799372A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211412156.1
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/052 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 一种被动式太阳能电池冷却薄膜的制备方法，涉及一种太阳能电池冷却薄膜的制备方法。本发明是要解决目前太阳能电池主动冷却方式结构复杂、能耗大、维护成本高和投资成本高的技术问题。由于SiO2是一种具有很高红外发射率的材料，而P型单面抛光硅的光学特性与晶硅太阳能电池核心组件的光学特性是相似的，因此，为了将辐射制冷与太阳能电池的光伏转化效应两种物理过程集中到同一装置，本发明将上述两种材料有效的响应波段耦合到同一装置中来实现两种效应的有机结合。本发明制备的被动式的太阳能电池冷却器件大气窗口平均红外发射率能达到0.78；本发明制备的被动式的太阳能电池冷却器具有4℃的平均降温能力。
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公开(公告)号：CN115712206A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211425097.1
申请日：2022-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种宽带高透射调谐比光开关及其制备方法，它属于智能材料和光学薄膜领域。本发明要解决现有光开关存在透射率小、带宽窄，且一旦发生相变必须要借助外界刺激才能回到初始的高透射状态，恢复时间长的问题。宽带高透射调谐比光开关由透明基底、增透层和VO2层组成；所述的透明基底两侧由内至外依次均设置增透层和VO2层；或所述的透明基底一侧由内至外依次设置增透层和VO2层，另一侧设置增透层。制备方法：一、清洗基片；二、增透层制备；三、VO2层制备。本发明用于宽带高透射调谐比光开关及其制备。
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