公开(公告)号：CN116769200A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310749947.1

申请日：2023-06-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐洪波 ,  李虹林 ,  丁振民 ,  范雪滢 ,  李欣

IPC: C08J5/18 ,  C08G83/00 ,  C08L83/04 ,  C08L87/00

Abstract: 一种基于金属有机框架UIO‑66的辐射制冷薄膜的制备方法，它涉及一种辐射制冷薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决辐射制冷材料技术难度大，成本高，辐射制冷性能差和难以实现规模化推广应用的问题。方法：一、制备表面修饰的金属有机框架UIO‑66；二、制备PDMS溶液；三、将表面修饰的金属有机框架UIO‑66加入PDMS溶液中，搅拌均匀，再加入PDMS的固化剂，搅拌混合，再进行浇铸，固化成膜，剥离，得到基于金属有机框架UIO‑66的辐射制冷薄膜。本发明制备工艺简单、成本低、制冷效果显著；本发明可获得一种基于金属有机框架UIO‑66的辐射制冷薄膜。

公开(公告)号：CN114719464A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210490790.0

申请日：2022-05-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵九蓬 ,  丁振民 ,  徐洪波 ,  李欣 ,  范雪滢 ,  李垚

IPC: F25B23/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  B08B3/12 ,  F26B3/04

Abstract: 一种虹彩色辐射制冷器件的制备方法，它涉及一种辐射制冷器件的制备方法。本发明的目的是要解决目前很多微结构辐射制冷器件研究还多数处于模拟阶段，冷却功率低，不具有应用性的问题。方法：一、清洗基底；二、构筑银微球自组装的单层掩膜结构；三、刻蚀；四、在石英基底没有微结构的一面蒸镀银膜，得到虹彩色辐射制冷器件。本发明使用原料主要为石英、银；原料丰富易得，并且制备的材料光谱调控范围广，制冷效果明显且具有彩色特性；这些都有益于所设计的辐射制冷器件的推广应用。本发明可获得一种虹彩色辐射制冷器件。

公开(公告)号：CN114719464B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202210490790.0

申请日：2022-05-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵九蓬 ,  丁振民 ,  徐洪波 ,  李欣 ,  范雪滢 ,  李垚

IPC: F25B23/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  B08B3/12 ,  F26B3/04

Abstract: 一种虹彩色辐射制冷器件的制备方法，它涉及一种辐射制冷器件的制备方法。本发明的目的是要解决目前很多微结构辐射制冷器件研究还多数处于模拟阶段，冷却功率低，不具有应用性的问题。方法：一、清洗基底；二、构筑银微球自组装的单层掩膜结构；三、刻蚀；四、在石英基底没有微结构的一面蒸镀银膜，得到虹彩色辐射制冷器件。本发明使用原料主要为石英、银；原料丰富易得，并且制备的材料光谱调控范围广，制冷效果明显且具有彩色特性；这些都有益于所设计的辐射制冷器件的推广应用。本发明可获得一种虹彩色辐射制冷器件。

公开(公告)号：CN117970718A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410028646.4

申请日：2024-01-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐洪波 ,  范雪滢 ,  李虹林 ,  李欣 ,  李垚

IPC: G02F1/1524 ,  G02F1/1516 ,  G02F1/153 ,  G02F1/155 ,  G02F1/1506 ,  B08B3/08 ,  C09K9/02

Abstract: 本发明公开了一种MOF电致变色器件的制备方法，通过以下步骤实现：步骤一，选取导电基底，对导电基底进行清洁和亲水化处理。步骤二，制备电致变色薄膜：通过溶剂热法，在步骤一获得的清洗后的导电基底表面直接生长MOF薄膜。步骤三，组装MOF电致变色器件，MOF电致变色器件由上到下包括依次堆叠的第一层透明导电层、S2中制备的MOF电致变色薄膜、电解质层和第二透明导电层。本发明提供了一种简单易操作、具有良好电致变色性能的MOF电致变色器件的制备方法，制备的电致变色器件表现出良好的稳定性和颜色切换能力。