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公开(公告)号：CN112853294A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110015542.6
申请日：2021-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微波透明热控薄膜及其制备方法，它涉及一种热控薄膜及其制备方法。本发明的目的是要解决现有微波透明热控薄膜整体太阳吸收率能达到0.45左右，整体红外发射率仅在0.7左右和微波透过率低的问题。一种微波透明热控薄膜为介质膜沉积在基底材料表面；所述的介质膜的层数≥2层，材质为Ge膜、Si膜、MgF膜、SiO2膜、Ta2O5膜、TiO2膜、Ti3O5膜、ZnO膜和ZnS膜中的两种膜或两种以上膜。方法：一、基底材料的表面处理；二、离子束轰击；三、沉积介质膜。本发明制备的微波透明热控薄膜整体太阳吸收率低于0.3，红外发射率大于0.7，微波透过率达到90％以上。本发明主要应用于航天器热控薄膜。
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公开(公告)号：CN112764286A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110132889.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1523 , G02F1/1516 , G02F1/1506 , G02F1/01 , G02F1/00
Abstract: 一种智能调控红外发射率的热控器件及其制备方法，它涉及一种热控器件及其制备方法。本发明的目的是要解决现有智能热控器件只适用于航天器的非照射环境，在太阳照射时热控器件在0.3～2.5μm吸收率很高，导致热控调节失效的问题。一种智能调控红外发射率的热控器件包括基底、电致变色器件或热致变色器件和功能膜层；所述的基底上由下至上依次为电致变色器件或热致变色器件和功能膜层。方法：一、基底材料的表面处理；二、在基底材料表面依次沉积电致变色器件或热致变色器件；三、交替沉积氟化物与ZnS或氟化物与ZnSe。本发明可获得一种智能调控红外发射率的热控器件。
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公开(公告)号：CN112853294B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110015542.6
申请日：2021-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微波透明热控薄膜及其制备方法，它涉及一种热控薄膜及其制备方法。本发明的目的是要解决现有微波透明热控薄膜整体太阳吸收率能达到0.45左右，整体红外发射率仅在0.7左右和微波透过率低的问题。一种微波透明热控薄膜为介质膜沉积在基底材料表面；所述的介质膜的层数≥2层，材质为Ge膜、Si膜、MgF膜、SiO2膜、Ta2O5膜、TiO2膜、Ti3O5膜、ZnO膜和ZnS膜中的两种膜或两种以上膜。方法：一、基底材料的表面处理；二、离子束轰击；三、沉积介质膜。本发明制备的微波透明热控薄膜整体太阳吸收率低于0.3，红外发射率大于0.7，微波透过率达到90％以上。本发明主要应用于航天器热控薄膜。
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公开(公告)号：CN112764286B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202110132889.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1523 , G02F1/1516 , G02F1/1506 , G02F1/01 , G02F1/00
Abstract: 一种智能调控红外发射率的热控器件及其制备方法，它涉及一种热控器件及其制备方法。本发明的目的是要解决现有智能热控器件只适用于航天器的非照射环境，在太阳照射时热控器件在0.3～2.5μm吸收率很高，导致热控调节失效的问题。一种智能调控红外发射率的热控器件包括基底、电致变色器件或热致变色器件和功能膜层；所述的基底上由下至上依次为电致变色器件或热致变色器件和功能膜层。方法：一、基底材料的表面处理；二、在基底材料表面依次沉积电致变色器件或热致变色器件；三、交替沉积氟化物与ZnS或氟化物与ZnSe。本发明可获得一种智能调控红外发射率的热控器件。
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