公开(公告)号：CN115712206A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211425097.1

申请日：2022-11-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李垚 ,  管欢 ,  豆书亮 ,  梁姝慧 ,  赵九蓬

IPC: G02F1/00 ,  G02F1/01 ,  G02B1/11

Abstract: 一种宽带高透射调谐比光开关及其制备方法，它属于智能材料和光学薄膜领域。本发明要解决现有光开关存在透射率小、带宽窄，且一旦发生相变必须要借助外界刺激才能回到初始的高透射状态，恢复时间长的问题。宽带高透射调谐比光开关由透明基底、增透层和VO2层组成；所述的透明基底两侧由内至外依次均设置增透层和VO2层；或所述的透明基底一侧由内至外依次设置增透层和VO2层，另一侧设置增透层。制备方法：一、清洗基片；二、增透层制备；三、VO2层制备。本发明用于宽带高透射调谐比光开关及其制备。

公开(公告)号：CN117784448A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311838207.1

申请日：2023-12-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李垚 ,  管欢 ,  豆书亮 ,  赵九蓬

IPC: G02F1/00 ,  G02F1/01 ,  G02B1/11 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/02

Abstract: 一种透射率可调二氧化钒红外辐射调控器件及其制备方法，它涉及一种红外辐射调控器件及其制备方法。本发明要解决现有叉指电极会影响器件透射率的问题。器件：它由红外透明基底、红外增透膜、VO2层和叉指电极组成。方法：一、清洗基片；二、红外增透膜的制备；三、VO2层的制备；四、叉指电极制备。本发明用于透射率可调二氧化钒红外辐射调控器件及其制备。

公开(公告)号：CN117777527A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311838205.2

申请日：2023-12-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 豆书亮 ,  梁姝慧 ,  李垚 ,  管欢

IPC: C08J9/36 ,  C08J9/28 ,  C08J5/18 ,  C08J7/06 ,  C08L27/16 ,  C09D1/00 ,  C09D127/16 ,  C09D7/62 ,  C09D7/40 ,  H05K9/00

Abstract: 一种兼具智能电磁屏蔽和动态热管理功能的复合薄膜及其制备方法，它属于智能材料、热管理和电磁屏蔽领域。本发明要解决现有热管理和电磁屏蔽材料无法兼容及适应动态环境的问题。复合薄膜，它由辐射制冷层和加热层组成；或它由辐射制冷层、基底和加热层组成，且辐射制冷层及加热层分别设置于基底两侧。制备方法：一、VO2纳米线的制备；二、表面修饰；三、辐射制冷材料溶液的制备；四、复合薄膜的制备。本发明用于兼具智能电磁屏蔽和动态热管理功能的复合薄膜及其制备。