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公开(公告)号：CN115799372A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211412156.1
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/052 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 一种被动式太阳能电池冷却薄膜的制备方法，涉及一种太阳能电池冷却薄膜的制备方法。本发明是要解决目前太阳能电池主动冷却方式结构复杂、能耗大、维护成本高和投资成本高的技术问题。由于SiO2是一种具有很高红外发射率的材料，而P型单面抛光硅的光学特性与晶硅太阳能电池核心组件的光学特性是相似的，因此，为了将辐射制冷与太阳能电池的光伏转化效应两种物理过程集中到同一装置，本发明将上述两种材料有效的响应波段耦合到同一装置中来实现两种效应的有机结合。本发明制备的被动式的太阳能电池冷却器件大气窗口平均红外发射率能达到0.78；本发明制备的被动式的太阳能电池冷却器具有4℃的平均降温能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113943928A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111210389.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，它涉及一种电致变色薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有氧化钨电致变色材料无法同时兼备大的透过率调制，快的响应速度和高的循环稳定性的技术问题。本发明电致变色薄膜是以透明导电基材为基底，采用磁控溅射技术，通过精确控制溅射功率：即功率连续可调,功率逐渐降低来制备有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜；方法：一、超声清洗透明导电基底，烘干；二、采用磁控溅射的方法在透明导电基底上采用控制溅射功率的工艺制备有序结构可控的氧化钨薄膜。本发明用于制备有序结构可控的高透过率调制幅度、快速响应，高循环稳定性的氧化钨电致变色薄膜。
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公开(公告)号：CN116382004A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310227084.1
申请日：2023-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/153 , G02F1/157 , G02F1/1506 , G02F1/1523 , G02F1/1524 , G02F1/01
Abstract: 本发明涉及智能窗技术领域，特别涉及一种可见红外动态调控的智能窗。该智能窗沿厚度方向依次包括可见光透明的基底、导电层、第一变色层、离子传导层、电解质层、第二变色层、反射层、绝缘层和调节层，导电层、反射层和调节层均与电源连接；当红外光照射到调节层时，未被反射的红外光透过调节层，在调节层和反射层之间形成光学谐振腔结构，光学谐振腔用于调节红外光的吸收调节智能窗的红外光发射率；通过对导电层和反射层之间施加电压，电解质层中的离子进入第一变色层或第二变色层以使第一变色层或第二变色层变色。本发明实施例提供了一种可见红外动态调控的智能窗，能够提供一种灵活控制红外波段和可见波段的智能窗。
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公开(公告)号：CN113943928B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202111210389.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜的制备方法，它涉及一种电致变色薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有氧化钨电致变色材料无法同时兼备大的透过率调制，快的响应速度和高的循环稳定性的技术问题。本发明电致变色薄膜是以透明导电基材为基底，采用磁控溅射技术，通过精确控制溅射功率：即功率连续可调,功率逐渐降低来制备有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜；方法：一、超声清洗透明导电基底，烘干；二、采用磁控溅射的方法在透明导电基底上采用控制溅射功率的工艺制备有序结构可控的氧化钨薄膜。本发明用于制备有序结构可控的高透过率调制幅度、快速响应，高循环稳定性的氧化钨电致变色薄膜。
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公开(公告)号：CN116339029A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310227080.3
申请日：2023-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/153 , G02F1/155 , G02F1/163 , G02F1/1506 , G02F1/01 , G02F1/1524 , G02F1/1523
Abstract: 本发明涉及电光调控技术领域，特别涉及一种可见光红外光独立调控的调控结构。该调控结构包括红外调节结构和可见光调节结构，红外调节结构和可见光调节结构分别设置在可见光透过的基底的两侧，红外调节结构沿远离基底的方向依次包括反射层、绝缘层和调节层，可见光调节结构沿远离基底的方向依次包括第一电极层、第一变色层、电解质层、第二变色层、第二电极层；反射层的制备材料包括具有红外反射可见光透过的导体和半导体，调节层的制备材料包括红外半透明可见光透射的导体或半导体；第一变色层和第二变色层的制备材料为金属氧化物。本发明实施例提供了一种可见光红外光独立调控的调控结构，能够提供一种灵活控制红外波段和可见波段的调控结构。
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公开(公告)号：CN116338987A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310234232.2
申请日：2023-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及电致变发射率结构技术领域，特别涉及一种电致变发射率结构。本发明实施例提供了一种电致变发射率结构，沿厚度方向依次包括反射层、绝缘层和调节层，反射层用于反射红外光，反射层的制备材料包括导体和半导体，调节层的制备材料包括具有红外半透明性质的导体或半导体，反射层和调节层分别连接电源的两个电极，电极电压可调节；调节层和反射层之间形成光学谐振腔结构，光学谐振腔用于调控红外光的吸收，通过调节电源的电压改变调节层的红外透过率和吸收率，以调节进入光学谐振腔结构的红外光的多少，进而调节电致变发射率结构的红外光发射率。本发明实施例提供了一种电致变发射率结构，能够提供一种针对红外波段发射率可调节的结构。
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