公开(公告)号：CN115440879B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202210685143.5

申请日：2022-06-16

申请人： 合肥本源量子计算科技有限责任公司

发明人： 张辉 ,  尤兵 ,  马亮亮 ,  沈龙 ,  任阳

IPC分类号： H10N60/01 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种超导硅片及其制备方法。该制备方法包括：提供具有通孔的硅片，硅片包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一温度下，从硅片的第一表面沉积超导材料，以在硅片的第一表面以及通孔的孔壁镀上第一层超导膜；在高于第一温度的第二温度下，从硅片的第二表面沉积超导材料，以在硅片的第二表面镀上与第一层超导膜接续的第二层超导膜。该超导硅片采用该制备方法得到。通过上述方式，本发明能够避免超导膜出现破损，使硅片两个表面形成可靠的超导连接。

公开(公告)号：CN115440654A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210392617.7

申请日：2022-04-14

申请人： 合肥本源量子计算科技有限责任公司

发明人： 杨晖 ,  沈龙

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本申请公开了一种超导互连结构及其制备方法，涉及量子计算技术领域。所述制备方法包括：形成贯穿衬底的通孔；及将超导材料的粉末填入所述通孔并熔融所述粉末以获得位于所述通孔内的超导连接元件。所述超导互连结构包括：贯穿衬底的通孔；及形成于所述通孔内的超导连接元件，所述超导连接元件完全填充所述通孔。相对于现有技术中先对衬底刻蚀形成通孔，然后利用PVD、CVD、ALD等方式对硅通孔进行沉积镀膜制备互连结构，本申请将超导材料的粉末填入通孔并熔融所述粉末，即可在通孔内形成超导连接元件，从而获得超导互连结构，相对于相关技术本申请提高了硅通孔的填充效率，有助于实现基于TSV的互连结构的快速制备。

公开(公告)号：CN115440879A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210685143.5

申请日：2022-06-16

申请人： 合肥本源量子计算科技有限责任公司

发明人： 张辉 ,  尤兵 ,  马亮亮 ,  沈龙 ,  任阳

IPC分类号： H01L39/24 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种超导硅片及其制备方法。该制备方法包括：提供具有通孔的硅片，硅片包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一温度下，从硅片的第一表面沉积超导材料，以在硅片的第一表面以及通孔的孔壁镀上第一层超导膜；在高于第一温度的第二温度下，从硅片的第二表面沉积超导材料，以在硅片的第二表面镀上与第一层超导膜接续的第二层超导膜。该超导硅片采用该制备方法得到。通过上述方式，本发明能够避免超导膜出现破损，使硅片两个表面形成可靠的超导连接。

公开(公告)号：CN115433905A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210733607.5

申请日：2022-06-24

申请人： 合肥本源量子计算科技有限责任公司

发明人： 赵勇杰 ,  马亮亮 ,  沈龙 ,  张润潇 ,  徐望胜

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/22 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

摘要： 本发明公开了一种约瑟夫森结及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上确定第一区域和第二区域，第一区域与第二区域具有相交区域；形成第一超导层于第一区域；通过氧化形成第一势垒层于第一超导层上；形成第二超导层于相交区域的第一势垒层上；通过氧化将第二超导层整体转化为第二势垒层；形成第三超导层于第二势垒层上，以在相交区域获得约瑟夫森结。该约瑟夫森结由该制备方法得到。通过上述方式，本发明能够在降低势垒层的氧化气压的情况下控制势垒层厚度，进而获得大线宽的约瑟夫森结。

公开(公告)号：CN115440878A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210328176.4

申请日：2022-03-30

申请人： 合肥本源量子计算科技有限责任公司

发明人： 张润潇 ,  沈龙 ,  马亮亮

IPC分类号： H01L39/22 ,  H01L39/24 ,  G06N10/40

摘要： 本申请公开了约瑟夫森结的电阻调控方法及量子芯片的制备方法，属于量子计算技术领域。所述约瑟夫森结的势垒层为氧化物层，约瑟夫森结的电阻调控方法包括调整所述氧化物层的氧离子含量。量子芯片的制备方法包括先检测位于量子芯片上的约瑟夫森结的电阻，然后判断所述电阻是否符合目标值，若否，则调整所述氧化物层的氧离子含量。通过调整所述氧化物层的氧离子含量，实现了对约瑟夫森结的电阻的调控，有助于获得更好的量子比特的性能参数。

公开(公告)号：CN115433905B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210733607.5

申请日：2022-06-24

申请人： 合肥本源量子计算科技有限责任公司

发明人： 赵勇杰 ,  马亮亮 ,  沈龙 ,  张润潇 ,  徐望胜

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/22 ,  H10N60/10 ,  H10N60/01

摘要： 本发明公开了一种约瑟夫森结及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上确定第一区域和第二区域，第一区域与第二区域具有相交区域；形成第一超导层于第一区域；通过氧化形成第一势垒层于第一超导层上；形成第二超导层于相交区域的第一势垒层上；通过氧化将第二超导层整体转化为第二势垒层；形成第三超导层于第二势垒层上，以在相交区域获得约瑟夫森结。该约瑟夫森结由该制备方法得到。通过上述方式，本发明能够在降低势垒层的氧化气压的情况下控制势垒层厚度，进而获得大线宽的约瑟夫森结。

公开(公告)号：CN116169096A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202210972234.7

申请日：2022-08-12

申请人： 合肥本源量子计算科技有限责任公司

发明人： 徐望胜 ,  沈龙 ,  张润潇 ,  马亮亮 ,  尤兵

IPC分类号： H01L21/768 ,  H10N60/80 ,  H10N60/82 ,  H10N60/01 ,  H10N60/10

摘要： 本申请公开了一种超导互连结构及超导量子电路的制备方法，涉及硅通孔互连结构技术领域。本申请先在衬底上形成盲孔，然后将熔融的超导材料填入所述盲孔形成超导元件，再在所述盲孔的底部的一侧减薄所述衬底以使该盲孔形成贯穿衬底的通孔，由此即可获得贯穿衬底的超导互连结构，可以基于该超导互连结构使通孔两端的衬底表面的电路互连。本申请的方案中，熔融的超导材料填充盲孔后减薄的方式耗时短、效率高，有助于实现基于TSV的超导互连结构的快速制备。