公开(公告)号：CN116741778A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310548593.4

申请日：2023-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周雅琪 ,  张玮玲 ,  陈维仁 ,  卢麒友

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例提供了一种器件，包括衬底，以及衬底中的第一阱区，第二阱区和伪区，其中伪区是位于第一阱区和第二阱区之间的非功能区。第一阱区被配置为接收第一电压，第二阱区被配置为接收不同于第一电压的第二电压。该器件还包括有源区，该有源区延伸穿过第一阱区的至少部分和伪区的至少部分，以及位于伪区且在第一栅极结构和第二栅极结构之间的至少一个隔离结构，第一栅极结构在该至少一个隔离结构的一侧的伪区中的有源区上方延伸，第二栅极结构在该至少一个隔离结构的另一侧。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114975422A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210038662.2

申请日：2022-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈维仁 ,  林钲祐 ,  庄惠中 ,  简永溱 ,  高章瑞 ,  陈皇宇 ,  王中兴

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/118

Abstract: 一种集成电路装置、产生其布局图的方法与其制造方法。集成电路(IC)装置包括基板及位于基板上方的单元。单元包括至少一个主动区及在至少一个主动区上延伸的至少一个栅极区。单元进一步包括至少一个输入/输出(IO)图案，IO图案用以将至少一个主动区及至少一个栅极区中的一或多者电耦合至单元外侧的外部电路。至少一个IO图案倾斜地延伸至至少一个主动区及至少一个栅极区两者。

公开(公告)号：CN113312869B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202110184515.1

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏嘉 ,  郭明璋 ,  高章瑞 ,  张玮玲 ,  陈维仁 ,  庄惠中 ,  斯帝芬·鲁苏 ,  鲁立忠

IPC: G06F30/392 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请的实施例涉及集成电路器件、生成集成电路布局图的方法及系统。该方法包括将相邻的第一至第四有源区域定位在IC布局图的单元中，第一有源区域是n型或p型的第一类型，并且对应于第一鳍总数，第二有源区域是n型或p型的第二类型，并且对应于第二鳍总数，第三有源区域是第二类型并且对应于第三鳍总数，以及第四有源区域是第一类型并且对应于第四鳍总数。第一和第二鳍总数中的每个大于第三和第四鳍总数中的每个，并且定位第一、第二、第三或第四有源区域中的至少一个由处理器执行。

公开(公告)号：CN113312869A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110184515.1

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏嘉 ,  郭明璋 ,  高章瑞 ,  张玮玲 ,  陈维仁 ,  庄惠中 ,  斯帝芬·鲁苏 ,  鲁立忠

IPC: G06F30/392 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请的实施例涉及集成电路器件、生成集成电路布局图的方法及系统。该方法包括将相邻的第一至第四有源区域定位在IC布局图的单元中，第一有源区域是n型或p型的第一类型，并且对应于第一鳍总数，第二有源区域是n型或p型的第二类型，并且对应于第二鳍总数，第三有源区域是第二类型并且对应于第三鳍总数，以及第四有源区域是第一类型并且对应于第四鳍总数。第一和第二鳍总数中的每个大于第三和第四鳍总数中的每个，并且定位第一、第二、第三或第四有源区域中的至少一个由处理器执行。