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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107193190A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201611007808.8
申请日：2016-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/20 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , H01L22/12 , H01L22/30 , H01L22/34 , G03F9/7026
Abstract: 本公开提供一种焦距监测方法，包括使用第一焦距条件处理第一硅晶圆，第一硅晶圆包括：第一测试图案以及第二测试图案，第一测试图案以及第二测试图案不同。此方法还包括判定用于第一测试图案的第一临界尺寸；判定用于第二测试图案的第二临界尺寸；基于第一临界尺寸以及第二临界尺寸判定焦距值差值；以及使用第二焦距条件处理第二硅晶圆，而第二焦距条件是基于焦距值差值。
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公开(公告)号：CN106206413B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201510310465.1
申请日：2015-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极结构。该栅极结构包括第一硬掩模层。该方法还包括在邻近栅极结构的衬底中形成源极/漏极(S/D)部件，且沿着栅极结构的侧壁形成侧壁间隔件。侧壁间隔件的外边缘在其上部背朝栅极结构。该方法还包括沿着栅极结构的侧壁和沿着侧壁间隔件的外边缘形成第二间隔件、在栅极结构上方形成介电层、形成延伸穿过介电层以暴露出源极/漏极部件的沟槽，同时第一硬掩模层和具有第二间隔件的侧壁间隔件保护栅极结构。该方法还包括在沟槽中形成接触部件。本发明还提供了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN109581821B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201811107941.X
申请日：2018-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种评估极紫外光(EUV)微影设备焦距控制的方法、控制极紫外光微影工艺的方法及极紫外光微影设备，评估极紫外光(EUV)微影设备焦距控制的方法包括准备通过使用极紫外光微影设备来曝光的晶圆。晶圆包括由光刻胶所形成的测试图案、及通过不同曝光焦距的极紫外光多次曝光所制备的圆形岛状物或孔洞。上述方法还包括测测量试图案的粗糙度参数，并估算代表粗糙度参数对焦距的相关性的函数。基于函数的极值估算最佳焦距。随后通过具有最佳焦距的极紫外光对包括测试图案的曝光晶圆进行曝光。定期测量曝光晶圆上的测试图案的粗糙度参数，测试图案是通过在最佳焦距下曝光所述曝光晶圆所获得。随后基于测量到的粗糙度参数及函数决定焦距异常性。
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公开(公告)号：CN109581821A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811107941.X
申请日：2018-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种评估极紫外光(EUV)微影设备焦距控制的方法、控制极紫外光微影工艺的方法及极紫外光微影设备，评估极紫外光(EUV)微影设备焦距控制的方法包括准备通过使用极紫外光微影设备来曝光的晶圆。晶圆包括由光刻胶所形成的测试图案、及通过不同曝光焦距的极紫外光多次曝光所制备的圆形岛状物或孔洞。上述方法还包括测测量试图案的粗糙度参数，并估算代表粗糙度参数对焦距的相关性的函数。基于函数的极值估算最佳焦距。随后通过具有最佳焦距的极紫外光对包括测试图案的曝光晶圆进行曝光。定期测量曝光晶圆上的测试图案的粗糙度参数，测试图案是通过在最佳焦距下曝光所述曝光晶圆所获得。随后基于测量到的粗糙度参数及函数决定焦距异常性。
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公开(公告)号：CN106206413A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510310465.1
申请日：2015-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极结构。该栅极结构包括第一硬掩模层。该方法还包括在邻近栅极结构的衬底中形成源极/漏极(S/D)部件，且沿着栅极结构的侧壁形成侧壁间隔件。侧壁间隔件的外边缘在其上部背朝栅极结构。该方法还包括沿着栅极结构的侧壁和沿着侧壁间隔件的外边缘形成第二间隔件、在栅极结构上方形成介电层、形成延伸穿过介电层以暴露出源极/漏极部件的沟槽，同时第一硬掩模层和具有第二间隔件的侧壁间隔件保护栅极结构。该方法还包括在沟槽中形成接触部件。本发明还提供了一种半导体器件。
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