公开(公告)号：CN111524974B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202010054768.2

申请日：2020-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟成 ,  亚历山大·卡尔尼斯基 ,  罗仕豪 ,  柯弘彬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括栅极结构。所述半导体器件还包括一对间隔件段，所述一对间隔件段位于半导体衬底上。高介电常数栅极介电结构上覆在所述半导体衬底上。所述高介电常数栅极介电结构在横向上位于所述间隔件段之间且与所述间隔件段相邻。所述栅极结构上覆在所述高介电常数栅极介电结构上且具有与所述间隔件段的顶表面大约齐平的顶表面。所述栅极结构包括金属结构及栅极本体层。所述栅极本体层具有相对于所述金属结构的顶表面在垂直方向上偏置的顶表面且还具有被所述金属结构以杯状包围的下部部分。

公开(公告)号：CN102983105B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210057487.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仁安 ,  张启新 ,  杨仁盛 ,  林大为 ,  罗仕豪 ,  叶志扬 ,  林慧雯 ,  高荣辉 ,  涂元添 ,  林焕哲 ,  彭治棠 ,  郑培仁 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括：在金属栅极结构的各个侧面上提供层间电介质(ILD)。本发明还提供了一种用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜。

公开(公告)号：CN111524974A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010054768.2

申请日：2020-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟成 ,  亚历山大·卡尔尼斯基 ,  罗仕豪 ,  柯弘彬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括栅极结构。所述半导体器件还包括一对间隔件段，所述一对间隔件段位于半导体衬底上。高介电常数栅极介电结构上覆在所述半导体衬底上。所述高介电常数栅极介电结构在横向上位于所述间隔件段之间且与所述间隔件段相邻。所述栅极结构上覆在所述高介电常数栅极介电结构上且具有与所述间隔件段的顶表面大约齐平的顶表面。所述栅极结构包括金属结构及栅极本体层。所述栅极本体层具有相对于所述金属结构的顶表面在垂直方向上偏置的顶表面且还具有被所述金属结构以杯状包围的下部部分。

公开(公告)号：CN102983105A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210057487.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仁安 ,  张启新 ,  杨仁盛 ,  林大为 ,  罗仕豪 ,  叶志扬 ,  林慧雯 ,  高荣辉 ,  涂元添 ,  林焕哲 ,  彭治棠 ,  郑培仁 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括：在金属栅极结构的各个侧面上提供层间电介质(ILD)。本发明还提供了一种用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜。