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公开(公告)号：CN113314419A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110086735.0
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：介电鳍，位于衬底上；低维层，位于介电鳍上，该低维层包括源极/漏极区域和沟道区域；源极/漏极接触件，位于源极/漏极区域上；以及栅极结构，位于邻近源极/漏极接触件的沟道区域上，该栅极结构在栅极结构的顶部处具有第一宽度，在栅极结构的中间处具有第二宽度，并且在栅极结构的底部处具有第三宽度，第二宽度小于第一宽度和第三宽度中的每个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114664739A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210210125.1
申请日：2022-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体器件、集成电路及其制造方法。一种半导体器件包括栅极层、沟道材料层、第一介电层及多个源极/漏极端子。栅极层设置在衬底之上。沟道材料层设置在栅极层之上，其中沟道材料层的材料包括第一低维材料。第一介电层位于栅极层与沟道材料层之间。多个源极/漏极端子与沟道材料层接触，其中沟道材料层至少局部地设置在多个源极/漏极端子之间且位于栅极层之上，且栅极层设置在衬底与多个源极/漏极端子之间。
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公开(公告)号：CN113314419B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202110086735.0
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：介电鳍，位于衬底上；低维层，位于介电鳍上，该低维层包括源极/漏极区域和沟道区域；源极/漏极接触件，位于源极/漏极区域上；以及栅极结构，位于邻近源极/漏极接触件的沟道区域上，该栅极结构在栅极结构的顶部处具有第一宽度，在栅极结构的中间处具有第二宽度，并且在栅极结构的底部处具有第三宽度，第二宽度小于第一宽度和第三宽度中的每个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114078952B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111014848.6
申请日：2021-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 公开了方法包括在衬底上方形成第一牺牲层，以及在第一牺牲层上方形成夹层结构。该夹层结构包括第一隔离层、位于第一隔离层上方的二维材料以及位于二维材料上方的第二隔离层。该方法还包括：在夹层结构上方形成第二牺牲层；在二维材料的相对端上形成第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，并且第一源极/漏极区和第二源极/漏极区接触二维材料的侧壁；去除第一牺牲层和第二牺牲层以生成间隔；以及形成填充间隔的栅极堆叠件。本发明的实施例涉及一种半导体器件及另一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN114664760A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111021654.9
申请日：2021-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括设置在衬底上方的热传递层、沟道材料层、栅极结构以及源极及漏极端子。沟道材料层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，且设置在热传递层上，其中第一表面与热传递层接触。栅极结构设置在沟道材料层上方。源极及漏极端子与沟道材料层接触且位于栅极结构的相对的两侧处。通过设于衬底与沟道材料层之间的热传递层的热传导，可以增强器件的散热能力而改善器件性能。
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公开(公告)号：CN114078952A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111014848.6
申请日：2021-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 公开了方法包括在衬底上方形成第一牺牲层，以及在第一牺牲层上方形成夹层结构。该夹层结构包括第一隔离层、位于第一隔离层上方的二维材料以及位于二维材料上方的第二隔离层。该方法还包括：在夹层结构上方形成第二牺牲层；在二维材料的相对端上形成第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，并且第一源极/漏极区和第二源极/漏极区接触二维材料的侧壁；去除第一牺牲层和第二牺牲层以生成间隔；以及形成填充间隔的栅极堆叠件。本发明的实施例涉及一种半导体器件及另一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN113380628A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110101700.X
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法，包括在衬底上方形成凸出的介电鳍；沿介电鳍的第一侧壁在该介电鳍的上表面形成沟道层，沟道层包括低维材料；在沟道层上方形成栅极结构；在栅极材料的相对侧形成金属源极/漏极区；在沟道层上方形成沟道增强层；以及在栅极结构、金属源极/漏极区及沟道增强层上方形成钝化层。本申请的实施例提供一种鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN217933803U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202221622838.0
申请日：2022-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种晶体管，其包括栅极结构、下伏于栅极结构且包括二维材料的通道层、侧向地与栅极结构隔开并侧向地设置在通道层旁边的源极/漏极接触件以及侧向地插设在栅极结构和源极/漏极接触件之间的间隙壁。亦提供一种半导体装置和一种半导体结构。
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公开(公告)号：CN219165068U
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202223286778.2
申请日：2022-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种存储器结构与半导体装置。所述存储器结构包括衬底。存储器结构还包括第一晶体管，其中第一晶体管距衬底第一距离。存储器结构还包括第二晶体管，其中第二晶体管距衬底第二距离，且第一距离不同于第二距离，且第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)区连接至第二晶体管的第二S/D区。存储器结构还包括多个存储元件，多个存储元件电性连接至第一晶体管与第二晶体管二者，其中多个存储元件中的每一者距衬底第三距离，且第三距离不同于第一距离与第二距离二者。
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