公开(公告)号：CN115437208A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210553811.9

申请日：2022-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵子昂 ,  郑兆钦 ,  汪涵

IPC: G03F1/24 ,  H01L21/033

Abstract: 用于EUV光掩模的薄膜包括：第一层；第二层；以及主层，设置在第一层和第二层之间并且包括多个纳米管。第一层或第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。在以上和以下的一个或多个实施例中，第一层包括第一二维材料并且第二层包括第二二维材料。本申请的实施例还涉及用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN115437208B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202210553811.9

申请日：2022-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵子昂 ,  郑兆钦 ,  汪涵

IPC: G03F1/24 ,  H01L21/033

Abstract: 用于EUV光掩模的薄膜包括：第一层；第二层；以及主层，设置在第一层和第二层之间并且包括多个纳米管。第一层或第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。在以上和以下的一个或多个实施例中，第一层包括第一二维材料并且第二层包括第二二维材料。本申请的实施例还涉及用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN115877653A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210806502.8

申请日：2022-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵子昂 ,  李明洋 ,  郑兆钦 ,  汪涵

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括薄膜框架和附接至薄膜框架的主膜。主膜包括多个纳米管，每个纳米管包括单壁纳米管或同轴纳米管，并且单壁纳米管或同轴纳米管的最外纳米管为非碳基纳米管。本发明的实施例还提供了制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法。

公开(公告)号：CN115437207A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210492979.3

申请日：2022-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵子昂 ,  郑兆钦 ,  汪涵 ,  李明洋 ,  皮特纳·麦可·格列高里

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/62

Abstract: 用于EUV光掩模的薄膜包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的主膜。主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕内管的一个或多个外管，并且内管和一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。本申请的实施例还涉及用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN217933803U

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202221622838.0

申请日：2022-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑兆钦 ,  黄瑞乾 ,  洪以则 ,  王世豪 ,  汪涵 ,  廖思雅

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种晶体管，其包括栅极结构、下伏于栅极结构且包括二维材料的通道层、侧向地与栅极结构隔开并侧向地设置在通道层旁边的源极/漏极接触件以及侧向地插设在栅极结构和源极/漏极接触件之间的间隙壁。亦提供一种半导体装置和一种半导体结构。