公开(公告)号：CN113314671B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202110275150.3

申请日：2021-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵子昂 ,  皮特纳·麦可·格列高里 ,  陈则安 ,  李连忠 ,  林毓超

IPC: H10K71/00 ,  H10K85/20 ,  H10K10/46 ,  B01D61/00

Abstract: 提供了半导体器件及其使用碳纳米管的制造方法。在实施例中，形成纳米管堆叠件，然后利用非破坏性去除工艺来减小该纳米管堆叠件的厚度。然后可以由减小的纳米管堆叠件来形成诸如晶体管的器件。

公开(公告)号：CN113314671A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110275150.3

申请日：2021-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵子昂 ,  皮特纳·麦可·格列高里 ,  陈则安 ,  李连忠 ,  林毓超

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  B01D61/00

Abstract: 提供了半导体器件及其使用碳纳米管的制造方法。在实施例中，形成纳米管堆叠件，然后利用非破坏性去除工艺来减小该纳米管堆叠件的厚度。然后可以由减小的纳米管堆叠件来形成诸如晶体管的器件。

公开(公告)号：CN115437207A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210492979.3

申请日：2022-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵子昂 ,  郑兆钦 ,  汪涵 ,  李明洋 ,  皮特纳·麦可·格列高里

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/62

Abstract: 用于EUV光掩模的薄膜包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的主膜。主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕内管的一个或多个外管，并且内管和一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。本申请的实施例还涉及用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法。