公开(公告)号：CN115911010A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211272395.1

申请日：2022-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄瑞乾 ,  廖思雅 ,  王振印 ,  王世豪

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/538 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/50

Abstract: 方法包括形成第一半导体器件的第一晶体管。第一半导体器件包括第一沟道区域以及位于第一沟道区域上的栅电极。第二半导体器件通过设置在第一半导体器件和第二半导体器件之间的接合层而接合至第一半导体器件。形成第二半导体器件的第二晶体管，第二半导体器件包括第二沟道区域以及位于第二沟道区域上的第二栅电极。接合层设置在第一晶体管的第一栅电极和第二晶体管的第二栅电极之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN217933803U

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202221622838.0

申请日：2022-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑兆钦 ,  黄瑞乾 ,  洪以则 ,  王世豪 ,  汪涵 ,  廖思雅

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种晶体管，其包括栅极结构、下伏于栅极结构且包括二维材料的通道层、侧向地与栅极结构隔开并侧向地设置在通道层旁边的源极/漏极接触件以及侧向地插设在栅极结构和源极/漏极接触件之间的间隙壁。亦提供一种半导体装置和一种半导体结构。